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DRIE深反應離子刻蝕
NDR-4000(M)DRIE深反應離子刻蝕概述:是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統,帶8" ICP源。系統可以配套500L/S抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下,系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。
NDR-4000(M)DRIE深反應離子刻蝕主要特點:
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