CGS1218單晶爐的特點(diǎn)是其擁有一個(gè)組合式爐室，并允許在同樣的熱工條件下改變加料量。該系統(tǒng)可裝載 32 – 36英寸熱場，并配有交互式軟件系統(tǒng)控制的單個(gè)或雙攝像頭。

產(chǎn)品數(shù)據(jù)概覽:

最大晶棒直徑： 12- 18英寸

晶棒長度： 最大2,100 毫米

裝料容量 300公斤-450公斤

熱場 32 – 36英寸

該晶體生長系統(tǒng)作為半導(dǎo)體行業(yè)的重要組成部分具有以下特點(diǎn)：

精確性：通過精密儀器制造的驅(qū)動(dòng)單元夠?qū)崿F(xiàn)可重復(fù)的工藝控制并生產(chǎn)出最佳品質(zhì)的晶體。

堅(jiān)固性：爐體部件由高質(zhì)量的不銹鋼制成，其內(nèi)表面經(jīng)過高精度拋光，以便達(dá)到耐用性和潔凈等級方面的最高要求。

安全性：高度的自動(dòng)化和額為增設(shè)的安全系統(tǒng)可以確保在先進(jìn)的生產(chǎn)環(huán)境中使用。

定制化：憑借多年的開發(fā)經(jīng)驗(yàn)、專業(yè)知識以及提供多種部件更換和組合方式，PVA晶體生長系統(tǒng)根據(jù)不同客戶的特定需求提供最佳解決方案。

支持與服務(wù)：您可以通過直接聯(lián)系PVA晶體生長系統(tǒng)專家進(jìn)行“點(diǎn)對點(diǎn)"的溝通，獲得系統(tǒng)的備件服務(wù)以及系統(tǒng)的調(diào)整和優(yōu)化服務(wù)。

偶然將籽晶意外浸入熔融錫中，無意間發(fā)現(xiàn)了目前微電子領(lǐng)域中最重要的晶體生長工藝，該工藝是實(shí)現(xiàn)工業(yè)、科學(xué)和社會的快速數(shù)字化轉(zhuǎn)型的基礎(chǔ)。柴可拉斯基法（直拉法）以揚(yáng)·柴可拉斯基的名字來命名，該技術(shù)為工業(yè)化生產(chǎn)而開發(fā)，目前用于生產(chǎn)直徑達(dá)300毫米、重量為500公斤的硅晶體。為此，當(dāng)溫度達(dá)到大約1410℃時(shí)，高純硅作為半導(dǎo)體材料會在石英坩堝中熔化，并通過控制程序，按照工藝要求將單晶硅錠從熔體中拉出。