1. 產品概述
FLOURIS 201系列 8英寸立式爐，高精度溫度場控制技術，可實現 1200℃ 內氧化退火工藝。
2. 設備用途/原理
FLOURIS 201系列 8英寸立式爐，高精度溫度場控制技術，可實現 1200℃ 內氧化退火工藝，先進的顆粒控制技術，優良的膜厚均勻性控制技術，圖形化操作界面和群組管理系統。
3. 設備特點
晶圓尺寸 8 英寸，適用材料 硅、碳化硅。適用工藝 高溫氧化、退火、常壓合金、Polyimide 固化。適用域 科研、化合物半導體、集成電路。百科：半導體立式爐?的原理主要涉及到半導體材料的熱處理過程，這一過程在半導體制造中至關重要。立式爐的設計允許對半導體材料進行精確的溫度控制和氣氛管理，從而促進材料的特定化學反應，如外延生長等。
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