氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙較寬，為3.4eV，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。其次，氮化鎵具有優(yōu)良的電子遷移率和電子飽和漂移速度，這使得它在射頻和微波電子器件中具有出色的性能，例如5G通信系統(tǒng)中的射頻功率放大器。

氮化鎵晶體的晶格結構可以描述為每個鎵原子周圍環(huán)繞著四個氮原子，而每個氮原子周圍也被四個鎵原子包圍。這種結構稱為閃鋅礦結構或者螺旋狀烯結構，它是由鎵原子和氮原子所構成的共價鍵和離子鍵交替排列而成。