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外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點埋層）；然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層；再后來在外延層上注...

襯底，或稱基片（substrate），是指在半導體器件制造過程中用來支持其他材料或結構的底層材料。襯底的物理性質包括其晶體結構、機械強度、熱導率、膨脹系數等，而...

應用ITO導電玻璃的時候，往往會提到一個重要的參數，這個參數就是：方阻，也稱方塊電阻。同時，我們也可以將其理解為ITO的表面電阻率。那這個方塊電阻到底是什么意思...

金屬薄膜方阻，方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小...

氧化鎵是一種無機化合物，化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一...

氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖...

1、電阻率ρ不僅和導體的材料有關，還和導體的溫度有關。在溫度變化不大的范圍內：幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化，即ρ=ρ0（1+at）。式中t是攝氏溫度，ρ...

電阻率（resistivity）是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，S為面積。可以看出...

電阻率（resistivity）是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，S為面積。可以看出...

非接觸式單點薄層電阻測量系統。該裝置包含一個渦流傳感器組，感應弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應電流產生與測量對象的片電阻相關的電磁...

表面光電壓法的基本原理?12表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡稱SPV法）是通過測量由于光照在半導體材料表面產生的表面電壓...

非接觸式單點薄層電測量系統。該裝置包含一個渦流傳感器組，感應弱電流到導電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應電流產生與測量對象的片電阻相關的電磁場...

晶錠非接觸方阻測試儀。晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業中被廣泛應用。晶錠是一種長條狀的半導體材料，通常采用Czochralski法或發明家貝爾曼的...

電阻率是用來表示各種物質電阻特性的物理量。某種物質所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質的電阻率。電阻率與導體的...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數RH與?電導率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達式為μH =│RH│σ。?12定義和計...

??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導電材料（如?蒸發鋁膜、?導電漆膜、印制電路板銅...

是一款汞探針CV自動圖形掃描測量系統。它使用高頻CV測量分析系統，可以對75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直徑的測試片進...

電化學EC-V剖面濃度測試儀可高效、準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃...

非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍...

非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍...