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北京瑞科中儀科技有限公司
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當前位置:北京瑞科中儀科技有限公司>>掃描電子顯微鏡>> 賽默飛實驗室設備

賽默飛實驗室設備

參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號

品       牌FEI/賽默飛

廠商性質代理商

所  在  地北京市

更新時間:2024-10-10 13:36:47瀏覽次數:211次

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產地類別 進口 價格區間 300萬-400萬
應用領域 化工,生物產業,石油,制藥
賽默飛實驗室設備簡要描述:賽默飛Talos™ F200X掃描/透射電子顯微鏡提供速,納米材料多維定 量表征。由于配備了多種創新功能以提高效率、精度 和使用便易度,Talos F200X 是學術、政府和工業 等 領域進行高級研究與分析的理想選擇。

賽默飛實驗室設備介紹:

默飛世爾科技的 Talos™   F200X 掃描/透射電子顯微 鏡(S/TEM)提供速,納米材料多維定 量表征。由于配備了多種創新功能以提高效率、精度 和使用便易度,Talos™  F200X 是學術、政府和工業 等 領域進行高級研究與分析的理想選擇。

高分辨圖像數據質量更好:

賽默飛世爾科技的 Talos™   F200X S/TEM 融合了高分辨 率 STEM 和 TEM 成像,行業 X 射線能量色散譜(EDS) 信號檢測,以及通過成分面掃實現三維化學表征等功能。利用 智能掃描引擎、基于多個STEM    探測器的四通道合并技術,以 及微分相位襯度(DPC)成像技術,賽默飛世爾科技  Velox™    S/ TEM  控制軟件顯著地改善  S/TEM  成像質量,可以更好地分析 電磁結構,并實行快速、準確的 EDS 數據處理及定量分析。

賽默飛世爾科技的高亮度 X 場發射電子槍可以在提供高達標準 肖特基場發射電子槍五倍束流的同時保持較小的會聚角。用戶 可以獲得高信噪比及STEM、EDS   圖像分辨率和更多高 分辨  TEM應用。此外,X  場發射電子槍所具有的高穩定性及使 用壽命長等特點使其具有更高的成像效率。

顯示范圍更廣、獲取圖像速度更快Talos™  快速 D/TEM 成像支持 高分辨率以及原位動態成像。賽默飛世爾科技的 Ceta 16M™  相 機的視場范圍更大,圖像采集速率可高達每秒 25 幀。同時壓電 樣品臺可以確保高靈敏度,無漂移成像及精確樣品導航。因此    Talos™  在節約用戶時間的同時可以采集更多樣品數據。

賽默飛Talos™  F200X掃描/透射電子顯微鏡加快納米尺度范圍內分析解決問題的速度。

Talos™  F200X 采用賽默飛世爾科技保護的Super-X™  集成 EDS 系統,它配備了4 個硅漂移 X 射線探測器 (SDD),具有  靈敏度,每秒可收集高達 105 幅能譜。通過 Super-X™  與   A-TWIN 物鏡集成,Talos™  F200X 限度地提高了 X 射線收 集效率,同時達到給定束流下(即使對低強度 EDS 信號)的理  想輸出計數率。

賽默飛實驗室設備主要優勢:

提供更優質的圖像:  同時進行多重信號探測的高效率 STEM 成像技術為高質量的圖像提供了更好的圖像對比度

快速獲取化學成分數據:快速,精確定量 的 EDS 分析技術以 揭 示納米級成分細節

更多應用空間:利用專用的各種原位樣品桿進行原位動態實驗讓研究更輕松

賽默飛實驗室設備

Talos™   采用用戶友好的數字界面和人體工學設計,允許多名科學家訪問圖像和分析工作流程。快速圖像采集與簡單易用的操作平臺相結合,即使是經驗不豐富的操作員也可以快速收集結果。使用全程遙控操作,可以提高使用的便利度并增強環境穩定性。為了保持生產率,Talos™   還配備了新的狀況監視器,  以便收集重要的儀器參數,便于遠程診斷和支持。

賽默飛Talos™  F200X掃描/透射電子顯微鏡特征:

• 領域光學性能:恒定功率 A-TWIN 物鏡

• 易用性:快速、簡單的操作切換,可用于多用戶環境

• 超穩定平臺:恒定功率物鏡、壓電樣品臺、可靠的系統外殼和 遙控操作確保的穩定性

• SmartCam 相機:數字搜索和查看相機可以提高所有應用 的處理能力,并可以在日光下操作。

• 集成的快速探測器:Ceta 16M 像素 CMOS 相機可提 供較大的視場和很高的讀取速度 (25 fps @ 512×512)

• 全程遙控操作:自動光闌系統與 Ceta 相機相結合,支持 全程遙控操作

• 提高分析能力:Talos™  利用 EDS 三維成像技術將化學成分分 析能力從二維擴展到三維 。

安裝要求

詳細數據,請參考預裝指南。

Talos F200X

X-FEG 亮度

1.8 ×109 A/cm2 srad (@200kV)

總束電流

> 50nA

探針電流

1.5 nA @ 1 nm probe (200 kV)

Super-X EDS 系統

4 SDD 對稱,無窗設計,遮板保護

能量分辨率

≤136 eV for Mn-K“ and 10 kcps (輸出)

EDS 快速面掃

像素駐留時間 低至 10 μs


A-Twin

STEM HAADF 分辨率

0.16 nm

EDX 立體角

0.9 srad

TEM 信息分辨率

0.12 nm

衍射角

24?

雙傾桿傾轉角

±35° alpha tilt / ±30° beta tilt

測角器(樣品臺)傾轉角

±90?





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