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深圳市矢量科學儀器有限公司

等離子去膠機

參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

產品型號SPB-5/plus

品牌CIF

廠商性質經銷商

所在地深圳市

更新時間:2024-09-02 17:10:10瀏覽次數(shù):662次

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CIF等離子去膠機 采用電感耦合各向同性(各個方向)等離子激發(fā)方式,適用于所有的基材及復雜的幾何構形都可以進行等離子體去膠。其外觀美學設計,結構緊湊,漂亮大氣,優(yōu)化的腔體結構及合理的結構設計,使得處理樣品量更大,適用范圍更廣,性能更穩(wěn)定,操作更簡便,性價比更高,使用成本更低,實用性更強,更容易維護。

一、 產品簡介

CIF等離子去膠機 采用電感耦合各向同性(各個方向)等離子激發(fā)方式,適用于所有的基材及復雜的幾何構形都可以進行等離子體去膠。其外觀美學設計,結構緊湊,漂亮大氣,優(yōu)化的腔體結構及合理的結構設計,使得處理樣品量更大,適用范圍更廣,性能更穩(wěn)定,操作更簡便,性價比更高,使用成本更低,實用性更強,更容易維護。特別適合于大學,科研院所和微電子、半導體企業(yè)實驗室,對電路板、外延片、芯片、環(huán)氧基樹脂、MEMS制造過程中犧牲層,干刻或濕刻處理前或后,對基材進行聚合物剝離、金屬剝離、掩膜材料等光刻膠去除,以及晶圓表面預處理等。

二、CIF等離子去膠機 產品特點

1. PLC工控機控制整個去膠過程,手動、自動兩種工作模式。

2. 7寸彩色觸摸屏互動操作界面,圖形化用戶操作界面顯示,自動監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài),20個配方程序,可存儲、輸出、追溯工藝數(shù)據(jù),機器運行、停止提示。

3. 石英真空倉,全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質,耐腐蝕無污染。

4. 可選用石英舟,更適合晶元硅片去膠應用。

5. 有效處理面積大,可處理最大直徑200mm晶元硅片。

6. 采用花灑式多孔進氣方式,改變傳統(tǒng)等離子清洗機單孔進氣不均勻問題。

7. 采用防腐數(shù)字流量計,實現(xiàn)對氣體輸入精準控制。標配雙路氣體輸送系統(tǒng),可選多氣路氣體輸送系統(tǒng),氣體分配均勻。可輸入氧氣、氬氣、氮氣、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

8. HEPA高效過濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。

9. 處理高效均勻,效率高,工藝重復性好。

10. 樣品處理溫度低,無熱損傷和熱氧化。

11. 安全保護,倉門打開,自動關閉電源。

三、技術參數(shù)

型號

SPB5

SPB5plus

艙體尺寸

D200xΦ155mm

D200xΦ155mm

艙體容積

3.8L

3.8L

射頻電源

40KHz

13.56MHz

匹配器

自動匹配

自動匹配

激發(fā)方式

電感耦合

電感耦合

射頻功率

10-300W可調

10-300W可調(可選10-600W)

最大處理尺寸

Φ150m

Φ150m

氣體控制

質量流量計(MFC)(標配單路,可選雙路)流量范圍0-500SCCM(可調)

工藝氣體

ArN?、O?、H?、CF4CF4+ H2CHF3或其他混合氣體等(可選)

時間設定

1-99分59秒

真空泵

抽速約8m3/h

氣體穩(wěn)定時間

1分鐘

極限真空

≤1Pa

電 源

AC220V 50-60Hz,所有配線符合《低壓配電設計規(guī)范 GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設計規(guī)范》等國標標準相關規(guī)定。





有掩膜光刻機

1.手動、半自動、全自動有掩膜光刻機$r$n2.高分辨率掩模對準光刻,

無掩膜/激光直寫光刻機

無掩膜/激光直寫光刻機 參數(shù):1. 光源:375 nm、385 nm、

電子束光刻系統(tǒng)

電子束光刻系統(tǒng) 技術參數(shù):$r$n1.最小線寬≤8nm 光柵周期

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