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| 產地類別 | 進口 | 價格區間 | 面議 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 醫療衛生,化工,電子,印刷包裝,電氣 |
產品簡介
詳細介紹
干渉式膜厚儀以非接觸方式測量晶圓等的研磨和拋光工藝，超高速、實時、高精度測量晶圓和樹脂。
干渉式膜厚儀特點：
- 非接觸式，非破壞性厚度測量
- 反射光學系統（可從一側接觸測量）
- 高速（5 kHz）實時評測
- 高穩定性（重復精度低于0.01％）
- 耐粗糙度強
- 可對應任意距離
- 支持多層結構（多5層）
- 內置NG數據消除功能
- 可進行距離（形狀）測量（使用配件嵌入式傳感器）*
*通過測量測量范圍內的光學距離
Point1：*技術
對應廣范圍的薄膜厚度并實現高波長分辨率。
采用大塚電子*技術制成緊湊機身。
Point2：高速對應
即使是移動物體也可利用準確的間距測量，
是工廠生產線的理想選擇。
Point3：各種表面條件的樣品都可對應
從20微米的小斑點到
各種表面條件的樣品，都可進行厚度測量。
Point4：各種環境都可對應
因為遠可以從200 mm的位置進行測量，
所以可根據目的和用途構建測量環境。
測定項目
厚度測量（5層）
用途
各種厚膜的厚度
式樣
| 型號 | SF-3/200 | SF-3/300 | SF-3/1300 | SF-3/BB |
|---|---|---|---|---|
| 測量厚度范圍 | 5～400 | 10～775 | 50～1300 | 5～775 |
| 樹脂厚度范圍 | 10～1000 | 20～1500 | 100～2600 | 10～1500 |
| 小取樣周期kHz（μsec） | 5（200）※1 | - | ||
| 重復精度% | 0.01%以下※2 | |||
| 測量點徑 | 約φ20以上※3 | |||
| 測量距離mm | 50.80.120※4.200※4 | |||
| 光源 | 半導體光源（クラス３Ｂ相當） | |||
| 解析方法 | FFT解析，適化法※5 | |||
| interface | LAN，I/O入輸出端子 | |||
| 電源 | DC24V式樣（AC電源另行銷售） | |||
| 尺寸mm | 123×128×224 | 檢出器：320×200×300 光源：260×70×300 | ||
| 選配 | 各種距離測量探頭，電源部（AC用），安全眼睛 鋁參考樣品，測量光檢出目標，光纖清理器 | |||
＊1 ： 測量條件以及解析條件不同，小取樣周期也不同。
＊2 ： 是產品出貨基準的保證值規格，是當初基準樣品AirGap約300μm和
約1000μm測量時的相對標準偏差（ n = 20 ）
＊3 ： WD50mm探頭式樣時的設計值
＊4 ： 特別式樣
＊5 ： 薄膜測量時使用
※CE取得品是SF-3/300、SF-3/1300
基本構成
測定例
貼合晶圓
Mapping結果
研削后300mm晶圓硅厚度
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