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KE量蓄電池SS12-100/12V100AH型號報(bào)價(jià)

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參考價(jià) 面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號 金能量
  • 品牌 其他品牌
  • 廠商性質(zhì) 代理商
  • 所在地 北京市
在線詢價(jià) 收藏產(chǎn)品

更新時(shí)間:2020-04-11 10:44:10瀏覽次數(shù):219

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產(chǎn)品簡介

供貨周期 現(xiàn)貨 規(guī)格 SS12-100
應(yīng)用領(lǐng)域 能源,交通,航天,司法,電氣 主要用途 后備儲能電源
KE量蓄電池SS12-100/12V100AH型號報(bào)價(jià)
各系列產(chǎn)品質(zhì)保期限:
25AH(含)以下 國內(nèi)、外客戶均為12個(gè)月
25AH--40AH 國內(nèi)外客戶均為18個(gè)月
40AH(含)以上 國外18個(gè)月,國內(nèi)36個(gè)月
設(shè)計(jì)壽命:15年

詳細(xì)介紹

KE量蓄電池SS12-100/12V100AH型號報(bào)價(jià)

KE量蓄電池SS12-100/12V100AH型號報(bào)價(jià)

      放電時(shí)陽極板中的過氧化鉛和陰極板上的海綿狀鉛與電解液中的硫酸發(fā)生反應(yīng)生成硫酸鉛,所以電解液中的硫酸濃度不斷降低;充電時(shí)變成硫酸鉛的陰陽兩極活物質(zhì)把固定在其中的硫酸成分釋放到電解液中,分別生成海綿狀鉛和過氧化鉛,電解液中的硫酸濃度不斷增大。充電后期和充電結(jié)束時(shí),其后的充電電流全部用語電解電解液中的水分,結(jié)果在陽極產(chǎn)生氧氣,陰極產(chǎn)生*氣,氣體的逸出造成電池內(nèi)部水分減少,SUNEOM電池由于充分利用陰極板活物質(zhì)呈海綿狀濕濕潤狀態(tài),活性高,能快速與氧氣發(fā)生反應(yīng),大限度的防止水分流失。


      如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓,即驅(qū)動電壓過高超過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永9性損壞;同樣,如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極-發(fā)射極之間的耐壓,流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過集電極-發(fā)射極允許的大電流,IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值,IGBT都可能會永9性損壞。

(二)保護(hù)措施

(1)IGBT柵極的保護(hù)

IGBT的柵極-發(fā)射極驅(qū)動電壓VGE的保證值為±20V,如果超出保證值的電壓,則可能會損壞IGBT,因此,在IGBT的驅(qū)動電路中設(shè)置柵壓限幅電路。另外,若IGBT的柵極與發(fā)射極間開路,由于柵極與集電極和發(fā)射極之間寄生電容的存在,使得柵極電位升高,集電極-發(fā)射極有電流流過。這時(shí)若集電極和發(fā)射極間處于高壓狀態(tài)時(shí),可能會使IGBT發(fā)熱甚至損壞。為防止此類情況發(fā)生,應(yīng)在IGBT的柵極與發(fā)射極間并接一只幾十kΩ的電阻,此電阻應(yīng)盡量靠近柵極與發(fā)射極。
三、使用說明和注意事項(xiàng)
1,關(guān)于充電
> 浮充充電時(shí),請用充電電壓2.275V/單元格(20℃時(shí)的設(shè)定值)進(jìn)行定電壓充電或0.002CA以下的電流進(jìn)行定電流充電,溫度在0℃以下或40℃以上時(shí),有必要對充電電壓進(jìn)行修正,以20℃為起點(diǎn)每變化1℃,單元格電壓變化-3mV。
> 循環(huán)充電時(shí),充電電壓以2.40~2.50V/單元格(20℃時(shí)的設(shè)定值)進(jìn)行定電壓充電,溫度在5℃以下或35℃以上進(jìn)行充電時(shí),以20℃為起點(diǎn)每變化1℃,單元格電壓變化-4mV。
> 充電量設(shè)為放電量的100~120%,但環(huán)境溫度在5℃以下時(shí),設(shè)為120~130%
> 充電時(shí)電池溫度請控制在-15℃~+50℃的范圍內(nèi),但在循環(huán)使用時(shí),請控制在5℃~30℃. 

(2)集電極與發(fā)射極間的過壓保護(hù)

(2.1)直流過壓產(chǎn)生的原因是由于前一級輸入發(fā)生異常。解決的辦法是在選取IGBT時(shí),進(jìn)行降額設(shè)計(jì);另外,可在檢測出這一過壓時(shí)分?jǐn)郔GBT的輸入,保證IGBT的安全。

(2.2)浪涌電壓的保護(hù)

因?yàn)殡娐分蟹植茧姼械拇嬖?,加之IGBT的開關(guān)速度較高,當(dāng)IGBT關(guān)斷時(shí)及與之并接的反向恢復(fù)二極管逆向恢復(fù)時(shí),就會產(chǎn)生很大的浪涌電壓Ldi/dt。如果VCESP超出

IGBT的集電極-發(fā)射極間耐壓值VCES,就可能損壞IGBT。

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