進(jìn)口ALD設(shè)備概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會帶來非統(tǒng)計的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。

進(jìn)口ALD設(shè)備特點(diǎn)：

• 占地面積小
• 計算機(jī)控制，Labview軟件全自動工藝控制
• 360A厚的AL2O3膜，誤差為±1A
• 三維鍍膜，接近100%的階梯覆蓋率
• 設(shè)備集成安全氣柜
• 10mTorr的極限真空
• 可支持6“，8”基片（升級支持12“，或定制更大尺寸）
• 樣品臺可加熱至400℃（可選加熱到500℃）
• 手動/自動上下載片可選
• 支持多達(dá)7路的50ml的液態(tài)或固態(tài)前驅(qū)體瓶源

進(jìn)口ALD設(shè)備選配：

• 下游式遠(yuǎn)程平面ICP源或中空陰極離子源，支持PEALD
• 自動上下片，單片或25片cassette
• 增加額外的液態(tài)qia前驅(qū)體或額外的fan'ying反應(yīng)氣路
• 300l/sec的磁懸浮渦流分子泵，5*10-7Torr極限真空
• 大尺寸的基片或fe粉末的沉積
• QCM原位膜厚監(jiān)控系統(tǒng)

進(jìn)口ALD設(shè)備應(yīng)用：

• Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3，etc
• Nitrides氮化物: AlN, TiN, TaN, etc..
• Photovoltaic and MEMS applications光伏及MEMS應(yīng)用.
• Nano laminates納米復(fù)合材料
• 高K介質(zhì)
• 疏水性涂覆
• 鈍化層
• 高深寬比擴(kuò)散阻擋層的銅連接
• 微流控ying'yo應(yīng)用的保形性涂覆
• 燃料電池z中諸如催化層的單金屬涂覆