快速自動掃描系統 參考價：面議
快速自動掃描系統MDPinline ingot系統是可用于多晶硅電氣特性的快的測量工具。它被設計用于高產量生制造工廠的研究用途。每塊磚都可以在不到兩分鐘的時間里...
少子壽命測試儀 參考價：面議
少子壽命測試儀MDPinline是一個用于定量測量少子壽命的緊湊型高速生產集成自動掃描系統。當晶片通過傳送裝置移動到儀器下面時，一片晶片的形貌測量在一秒鐘的時間...
薄膜反射和透射的在線監測系統 參考價：面議
薄膜反射和透射的在線監測系統RT inline 薄膜測量系統是為沉積過程的在線質量控制而設計的。該方法基于SENTECH著名的薄膜厚度探針FTPadv，用于測量...
自動掃描薄膜測量儀器 參考價：面議
自動掃描薄膜測量儀器SenSol自動掃描儀器設計用于玻璃薄膜光伏制造中薄膜性能的質量控制的在線測量。大量的傳感器可以集成到SenSol傳感器平臺中。這也允許特定...
激光橢偏儀 參考價：面議
激光橢偏儀SE 800 PV是分析結晶和多晶硅太陽能電池防反射膜的理想工具。可以測量單層薄膜(SiNx、SiO2、TiO2、Al2O3)和多層疊層膜(SiNX/...
激光橢偏儀 參考價：面議
激光橢偏儀多角度SE 400adv PV在632.8nm的氦氖激光波長下，在紋理化的單晶和多晶硅片上提供防反射單膜的膜厚和折射率。可更換的晶片載片器允許對多晶晶...
晶體硅太陽電池 參考價：面議
晶體硅太陽電池SENperc PV是為PERC太陽能電池制造質量控制而設計的。它測量SiO2、Al2O3和SiNX單層膜和疊層膜，這些單層膜和疊層膜用于PERC...
綜合薄膜測量軟件 參考價：面議
綜合薄膜測量軟件集成的色散模型用于描述所有常用材料的光學特性。利用快速擬合算法，通過改變模型參數將計算得到的光譜調整到實測光譜。
臺式薄膜探針反射儀 參考價：面議
臺式薄膜探針反射儀二十年來，SENTECH已經成功地銷售了用于各種應用的薄膜厚度探針FTPadv。這種臺式反射儀的特點是不管在低溫或高溫下，在工業或研發環境中，...
反射膜厚儀 參考價：面議
反射膜厚儀我們的反射儀的特點是通過樣品的高度和傾斜調整進行準確的單光束反射率測量，光學布局的高光導允許對n和k進行重復測量，對粗糙表面進行測量以及對非常薄的薄膜...
橢偏反射儀 參考價：面議
橢偏反射儀性能優異的多角度手動角度計和角度精度*的激光橢偏儀允許測量單層薄膜和層疊膜的折射率、消光系數和膜厚。
激光橢偏儀 參考價：面議
激光橢偏儀SE 400adv可用于從可選擇的、應用特定的入射角度表征單層薄膜和基片。自動準直透鏡確保在大多數平坦反射表面的吸收或透明襯底上進行準確測量。多角度測...
光譜橢偏儀 參考價：面議
光譜橢偏儀我們的自動掃描的選項具有預定義或用戶定義的模式、廣泛的統計以及數據的圖形顯示，如2D顏色、灰度、輪廓、+/-偏離平均值和3D繪圖。
光譜橢偏儀 參考價：面議
光譜橢偏儀SENDURO® 所有的全自動光譜橢偏免除了用戶根據高度和傾斜度手動地對準樣品的麻煩，這對于高精度和可重復的光譜橢偏是必要的。該的自動對準傳...
光譜橢偏儀 參考價：面議
光譜橢偏儀SENDIRA用于測量薄膜厚度，折射率，消光系數以及體材料，單層和多層堆疊膜的相關特性。特別是覆蓋層下面的層在可見范圍內是不透明的，現在也可以進行測量...
光譜橢偏儀 參考價：面議
光譜橢偏儀SENpro具有操作簡單，測量速度快，能對不同入射角的橢偏測量數據進行組合分析等特點。光譜范圍為370到1050 nm。SENpro的光譜范圍與精密的...
光譜橢偏儀 參考價：面議
光譜橢偏儀為了獲得測量結果，在數據采集過程中沒有光學器件運動。步進掃描分析器(SSA)原理是SENresearch 4.0光譜橢偏儀的一個特性。通過創新的雙補償...
集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統 參考價：面議
集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要...
ALD實時監測儀RTM 參考價：面議
ALD實時監測儀RTM使用單一ALD循環可快速和簡易地開發和優化ALD工藝。ALD實時監測儀顯示了高達40ms分辨率的吸附和解吸過程。顯著節省了研發時間，襯底，...
原子層沉積設備 參考價：面議
原子層沉積設備：真遠程等離子體源能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子...
PECVD等離子沉積設備 參考價：面議
PECVD等離子沉積設備Depolab 200是SENTECH基本的等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備，它結合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設計和直接載...
帶預真空室的化學氣相沉積設備 參考價：面議
帶預真空室的化學氣相沉積設備PECVD沉積設備SI 500 PPD便于在從室溫到350℃的溫度范圍內進行SiO2、SiNx、SiOxNy和a-Si的標準的化學氣...
等離子沉積設備 參考價：面議
等離子沉積設備低刻蝕速率，高擊穿電壓，低應力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態密度，使得所沉積的薄膜具有優異的性能。
RIE等離子刻蝕機 參考價：面議
RIE等離子刻蝕機我們的等離子蝕刻設備包括用功能強大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數窗口，工藝窗口，數據記錄和用戶管理。
2