四探針方塊電阻測量儀是為Sheet Resistivity薄層電阻率測量設計的四點探針電阻測量儀器,滿足各種材料的薄層電阻率測量,包括IV族半導體、金屬和化合物半導體，以及平板顯示器和硬盤中發現的新材料。
四探針方塊電阻測量儀使用兩個電流供應和兩個電壓傳感探針，在各種材料上提供高度準確和可重復的薄層電阻率和厚度測量。該
四探針方塊電阻測量儀具有用戶友*的“一鍵式"操作和自動校準功能。能夠在90秒內測量50個位置，測量范圍從1mΩ/sq到800kΩ/sq，***高可達8E11Ω/sq。
應用
P/N型式試驗，硅襯底，Epi層，SOI，離子注入劑量和均勻性，多晶硅電阻率和厚度，金屬沉積監測儀，硅化物工藝監測器，離子注入擴散，Poly gate過程監控器，ITO，金屬，多晶硅、a-Si
四探針方塊電阻測量儀規格參數適用晶片尺寸：50、75、100、125、200 mm
測試直徑：距離晶圓邊緣不超過3mm
測量范圍：1mΩ/sq。至800kΩ/平方。或8E9Ω/平方。
測量單位：Ω/平方。，Ω-cm，V/I，μ[T]，?[T]
測量重復精度：<0.2%（典型）
快速檢查：1、5、9個站點|5、6、9、10、13個站點ASTM/SEMI|X-圖案或自定義站點
笛卡爾映射：任何站點間隔≥0.1 mm，***多6000個站點
電子精度：＜0.1%（精密電阻器）
當前分辨率：16位A/D
測量符合電壓：125V
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