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熱釋電探測器DPE12系列 參考價：15000
熱釋電探測器DPE12系列為常溫型中遠紅外探測器，內置前置放大器，建議配合鎖相放大器使用，推薦使用 SR830 型或 DCS500PA 型；
DPe系列熱釋電探測器 參考價：面議
DPe系列熱釋電探測器為全波段響應的探測器，實際工作波長受窗口材料限制，可根據實際需要來選擇合適的窗口。
硅光電探測器 參考價：面議
美國OSI公司（OSI Optoelectronics）是一家專業的光電產品生產商，其前身為成立于1967年的美國UDT公司（UDT Sensors），在光電產...
IRA系類制冷型InGaAs PDA 參考價：面議
● InGaAs有效象元數256和512可選● 光譜范圍：800-1700nm，1000-2200nm，1200-2600nm● 象元尺寸：50μm×...
iDus系列制冷型CCD和InGaAs PDA 參考價：面議
● 光譜響應范圍：300-1000nm（200-1000nm），600-1700nm，800-2200nm● 采用AndorTM公司UltraVacTM真空封裝...
iVac制冷型CCD 參考價：面議
卓立漢光可提供多種不同種類芯片的高性能制冷型CCD 和InGaAs PDA，適用于廣闊的光譜測量應用領域，給用戶提供 為多樣的產品選擇性
制冷型InGaAs線性陣列探測器 參考價：面議
◆ InGaAs有效象元數256和512可選◆ 象元尺寸：50µm×500µm◆ 象元間距：50µm◆ 芯片采用TE制冷...
背感光制冷型CCD探測器 參考價：面議
◆ AndorTM iDus系列DV-420A-BV型，選用科研級背感光CCD芯片◆ 光譜響應范圍：300-1000nm◆ 采用AndorTM公司UltraVa...
常溫型線陣CCD 探測器（3648像素） 參考價：面議
卓立漢光可提供室溫型線性陣列CCD 探測器，該產品采用該技術“暗噪聲溫度補償修正"（TCDCTM）技術，可在15 ～ 30℃任意室溫下非常有效的抑制暗噪聲，得到...
常溫型線陣CCD 探測器（2048/3000像素） 參考價：面議
卓立漢光代理銷售美國Ames Photonics Inc.公司常溫型線性陣列CCD探測器，該產品采用該公司的技術“暗噪聲溫度補償修正（TCDCTM）“，可在15...
前置放大器 參考價：面議
卓立漢光提供多種低噪聲、高增益的放大器配合單通道探測器使用，主要用途是將光電探測器的輸出信號經過轉換、放大處理后輸入至其他測試或測量設備，如數據采集系統、示波器...
熱釋電探測器（Pyroelectric） 參考價：面議
———常溫型紅外探測器，波長范圍：0.5-22um◆ DPe22為常溫型熱釋電探測器，適合經濟型的測量，集成前置放大器，由LATGS晶體制成，仿熱電偶結構，專門...
（HgCdTe）碲鎘汞探測器 參考價：面議
■ 碲鎘汞探測器（HgCdTe）———液氮制冷型紅外探測器，波長范圍：2~22μm。有DMCT(x)-De和 DMCT11-HS兩種類型，其中：◆ DMCT(x...
銻化銦探測器 參考價：面議
■ 銻化銦探測器（InSb）———液氮制冷型紅外探測器，波長范圍：1～5.5μm 有DInSb5-De（x）和DInSb5-HS兩種類型，其中：◆ DInSb5...
砷化銦探測器 參考價：面議
■ 砷化銦探測器（InAs）———近紅外探測器波長范圍：1-3.8μm DInAs3800和DInAs3800-TE兩種型號，其中：◆ DInAs3800內裝進...
硫化鉛探測器 參考價：面議
■ 硫化鉛探測器（PbS）———常溫型紅外探測器,波長范圍：0.8-3.2μmDPbS2900/3200兩種型號，兩種探測器室的外觀相同（內帶前置放大器）
銦鎵砷探測器DInGaAs系列 參考價：面議
常溫型銦鎵砷探測器（InGaAs）——室溫型近紅外探測器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）● DInGaAs1600型內裝國產小面積InGaAs元件；...
硅光電探測器 參考價：面議
DSi系列硅光電探測器 高靈敏型硅、紫外增強型，使用范圍：200~1100nm；
光電倍增管探測器 參考價：面議
光電倍增管探測器 高靈敏型藍敏、紅敏光電倍增管，使用范圍：185nm~900nm；推薦配合高壓穩壓電源使用，可達到 佳的效果
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