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反應離子蝕刻設備
  • 反應離子蝕刻設備
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更新時間：2024-11-19 21:00:07

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簡要描述：反應離子蝕刻設備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。

反應離子蝕刻設備（RIE）中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，並具有重複性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。image.png

因此，RIE製程是化學物理蝕刻製程，也是半導體製造中用於構造各種薄膜的最重要製程。SYSKEY的系統(tǒng)可以精準的控制製程氣體與電漿製程，並提供高品質的薄膜。

反應離子蝕刻設備參數

應用領域腔體

  • 基礎電漿研究。

  • III-V族化合物半導體蝕刻（GaAsn，InP，GaN）。

  • Si，SiO2，SiNx 蝕刻。

  • 微機電系統(tǒng)。

  • 金屬與矽的蝕刻。

  • 陽極電鍍處理鋁腔。

  • 通過使用水冷系統(tǒng)、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。


配置和優(yōu)點選件

  • 客製化的基板尺寸，直徑可達12寸晶圓。

  • 單載片或多載片。

  • 優(yōu)異的薄膜均勻度小於±5％。

  • 精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納6條氣體管線。

  • 穩(wěn)定的溫度控制，將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C。

  • 渦輪分子幫浦。

  • 蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。






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