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簡要描述：RIE等離子刻蝕機SI 591：預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優異的工藝再現性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設計特點。樣品直徑大可達200mm，通過載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項的小占地面積操作。

工藝靈活性

RIE等離子刻蝕機SI 591 特別適用于氯基和氟基等離子蝕刻工藝

占地面積小且模塊化程度高

RIE等離子刻蝕機SI 591可配置為單個反應腔或作為片盒到片盒裝載的多腔設備。

SENTECH控制軟件

我們的等離子蝕刻設備包括用功能強大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面，參數窗口，工藝窗口，數據記錄和用戶管理。

預真空室和計算機控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得SI 591 具有優異的工藝再現性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是SI 591的設計特點。樣品直徑大可達200mm，通過載片器加載。SI 591可以配置為穿墻式操作或具有更多選項的小占地面積操作。

位于頂部電極和反應腔體的更大診斷窗口可以輕易地容納SENTECH激光干涉儀或OES和RGA系統。橢偏儀端口可用于SENTECH橢偏儀進行原位監測。

SI 591結合了計算機控制的RIE平行板電極設計的優點和預真空室系統。SI 591可配置用于各種材料的刻蝕。在SENTECH，我們提供不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室或多六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統，目標是高靈活性或高產量。SI 591也可用作多腔系統中的一個工藝模塊。

Deep anisotropic etching of silica with CHF2 / H2 chemistry1

2-modules RIE cluster for etching of aluminum pads

SENTECH control software for plasma equipment11

Etching of Ta2O5 on silicon by fluorine chemistry

Selective etching for GaAs / AlGas, courtesy of FBH Berlin, Germany

Etching of polysilicon by chlorine chemistry

Mesa etching of AlGaAs, courtesy of FBH Berlin, Germany

Etching of AlCu / TiW interconnect by chlorine chemistry

Etching of GaAs by chlorine chemistry, courtesy of FBH Berlin, Germany

Etching of cromium by fluor chemistry, courtesy of IAP Jena, Germany

Etching of SiO2 on silicon with CHF3 / H2 chemistry11

Etching of aluminum by chlorine chemistry

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