特征

• 可以執行關鍵的下一代晶圓工藝所需的1×10 ¹⁶原子/cm ^{2或更高的無損傷離子注入剝離工藝和聚合物去除工藝。}

• 腔室配置適合氟基氣體添加工藝，使其無顆粒。因此，可以構建從普通PR到離子注入剝離、有機膜剝離（PI、DFR等）剝離、氧化膜蝕刻等廣泛的工藝。

• 采用簡單的設備配置，同時實現了“出色的可維護性和可靠性"和“低成本"。

• 可以實現靈活的腔室配置（μwave、RIE、μwave + RIE），并且可以選擇多種傳輸路線。

• 晶圓尺寸只需通過配方設置即可更改，因此更改晶圓尺寸非常容易。

目的

• 離子注入剝離工藝（1 x 10 ¹⁶原子/cm ²或更多）和前端工藝中的聚合物去除

• 需要CF4添加_{工藝的晶圓工藝（電子元件/LED）}

• 芯片尺寸封裝和BUMP工藝

• CCD彩色濾光片制造工藝

規格