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日本ULVAC愛發科半導體間歇式真空沉積設備
日本ULVAC愛發科半導體間歇式真空沉積設備
間歇式高真空蒸發設備ei系列是一種在基材上形成金屬和氧化物薄膜的設備。排氣作業及成膜作業可在操作面板的集中控制下自動進行,適合研究開發及小規模生產。
可配備各種蒸發源(EB、電阻、EB+電阻)
根據工藝(升空、行星、衛星等)的基材支架
兼容Φ2英寸至6英寸基板、矩形基板、硅、化合物、玻璃和陶瓷基板。
液晶觸摸屏集中顯示和操作
使用 PC 的出色操作性和功能(配方功能、數據記錄、維護輔助功能)
功率器件等相關化合物
LED、LD、高速器件
用于各種實驗
其他一般電子零件
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