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目錄:福州鑫圖光電有限公司>>CMOS 相機>>制冷CMOS>> 長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW

長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW
  • 長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
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具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 品牌 鑫圖
  • 型號
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)商
  • 所在地 福州市
屬性

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更新時間:2024-05-16 11:51:54瀏覽次數(shù):599評價

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型號: FL 9BW 芯片類型: BSI CMOS
芯片型號: SONY IMX533CLK-D 彩色 / 黑白: 黑白
對角線尺寸: 15.96 mm (1 有效面積: 11.28 mm × 11.28 mm
像素大小: 3.76 μm × 3.76 μm 分辨率: 3000 x 3000, 9 MP
峰值量子效率: 92 % @ 530 nm 暗電流: < 0.0005 e-/p/s
增益模式: Gain 0;Gain 1;Gain 2;Gain 3; 滿阱容量: 47 ke- @ Gain 0; 16 ke- @ Gain 1; 7.8 ke- @ Gain 2
讀出噪聲: 2.5 e- @ Gain 0,1.0 e- @ Gain 1,0.85 e- @ Gain 2;0 幀率: 19 fps @ Standard Mode,12 fps @ Low Noise Mode
快門類型: 卷簾 曝光時間: 15 μs ~ 60 min
圖像校正: DDFC,DPC ROI: 支持
Binning: 2 x 2,3 x 3,4 x 4,6 x 6,8 x 8 制冷方式: 風(fēng)冷
制冷溫度: -25 ℃ @ 室溫(22℃) 觸發(fā)模式: 硬件,軟件
觸發(fā)輸出: 曝光開始,全局,讀出結(jié)束,高電平,低電平 觸發(fā)接口: Horise
SDK: C,C++,C# 數(shù)據(jù)接口: USB 3.0
光學(xué)接口: C-Mount,支持定制 位深: 14 bit @ bin1;FPGA bining 自動擴展到 16 bit
電源: 12 V / 6 A 功耗: ≤ 40 W
相機尺寸: 76 mm x 76 mm x 98.5 mm 重量: 835 g
操作系統(tǒng): Windows / Linux 操作環(huán)境: 工作:溫度 0~40 °C, 濕度 10~85 %,儲存:溫度 -10~60 ℃, 濕度 0~85
長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW

15.96 mm (1“)
3000 (H) × 3000 (V)
3.76 μm x 3.76 μm
< 0.0005 e-/p/s
-25℃ @ 22℃

長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW 是鑫圖針對長曝光應(yīng)用開發(fā)的新一代深度制冷CMOS相機。它采用索尼新一代的背照式CMOS芯片技術(shù)和鑫圖先進制冷密封工藝、圖像降噪技術(shù)聯(lián)合打造,不僅長曝光關(guān)鍵性能達到了深度制冷CCD的水平,還同時具有現(xiàn)代CMOS高靈敏度、高速、高動態(tài)等性能特征,可以很好的替代制冷CCD長曝光應(yīng)用。




<0.0005 e-/p/s暗電流 可替代冷CCD長曝光應(yīng)用


FL 9BW暗電流已低至0.0005 e-/p/s, 制冷深度可達-25℃,關(guān)鍵性能達到了深度制冷CCD相當(dāng)?shù)乃健T趡10分鐘長曝光的條件下,F(xiàn)L 9BW仍能獲取高信噪比(SNR)的圖像,且在正常曝光時間內(nèi) (60分鐘),信噪比都優(yōu)于695 CCD。


長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW




背景均一 定量分析更精準


FL 9BW同時集成了索尼芯片優(yōu)異的輝光抑制能力和鑫圖先進圖像降噪處理技術(shù),基本杜絕了邊角亮光、壞點像素等不良制程因素對正常信號的干擾,成像背景均一,更適合定量分析應(yīng)用。


長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW



SONY 背照式科學(xué)級芯片 綜合成像性能*


FL 9BW采用索尼新一代背照式科學(xué)級CMOS芯片,不僅長曝光性能和CCD相當(dāng),峰值量子效率高達92%,讀出噪聲僅0.9 e-,弱光成像能力碾壓CCD,動態(tài)范圍更是傳統(tǒng)CCD的4倍以上,綜合成像性能十分*。


長曝光制冷CMOS相機 FL 9BW





典型應(yīng)用參考




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