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天津泰諾科學技術有限公司
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單晶硅片

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具體成交價以合同協議為準

產品型號TN-G0400

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更新時間:2024-11-19 13:03:21瀏覽次數:45次

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單晶硅片生長方法:直拉CZ 型號/摻雜劑: P型/硼 N型/磷、砷、銻晶向: 100 / 111電阻率 (Ω.cm): 0.001-50徑向電阻率變化: (%) P 6 N型 25氧含量與公差: 5.0-7.8 × ± 0.5徑向氧含量變化 (%) : 5碳含量 (at ): ≤ 2.0×金屬鐵含量 (at ) :≤ 1.0×厚度 (微米):按SEMI標準或用戶要求厚度公差 (微米) :±15或用戶要求


生長方法:直拉CZ  
型號/摻雜劑: P型/硼 N型/磷、砷、銻
晶向: <100> / <111>
電阻率 (Ω.cm): 0.001-50
徑向電阻率變化: (%) P< 6   N型 < 25
氧含量與公差:   5.0-7.8 × ± 0.5
徑向氧含量變化 (%) :< 5
碳含量 (at ): ≤ 2.0×
金屬鐵含量 (at ) :≤ 1.0×
厚度 (微米):按SEMI標準或用戶要求
厚度公差 (微米) :±15或用戶要求

產品名稱

規格

包裝

N、P型硅片

1英寸 100、111晶向

25片/盒

N、P型硅片

2英寸 100、111晶向

25片/盒

N、P型硅片

3英寸 100、111晶向

25片/盒

N、P型硅片

4英寸 100、111晶向

25片/盒

方型硅片(mm)

3*3 5*5 8*8 10*10 15*15 20*20、、、


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