電容耦合等離子體刻蝕（CCP）設備
1. 產品概述：
CCP腔室適用于制造微納結構的等離子刻蝕技術。在反應離子刻蝕過程中，等離子體中會包含大量的活性粒子，與表面原子產生化學反應，生成可揮發產物后，隨真空抽氣系統排出。魯汶儀器的 Haasrode® Avior® A 在性價比和空間利用率上優點突出，可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。
單腔室電容耦合等離子體（CCP）機適用于光刻膠殘膠去除（打底膜）、介質刻蝕等工藝可用于6英寸及以下晶圓
2. 系統特性
單腔室電容耦合等離子體（CCP）機臺
適用于光刻膠殘膠去除（打底膜）、介質刻蝕等工藝
可用于6英寸及以下晶圓
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