Pishow® A 系列
8英寸電感耦合等離子體刻蝕（ICP）設備
1. 詳細介紹
ICP是一種加工微納結構的等離子刻蝕技術。具有刻蝕快、選擇比高、各項異性高、刻蝕損傷小、均勻性好、斷面輪廓可控性高、刻蝕表面平整度高等優點。目被廣泛應用于Si、SiO2、SiNx、金屬、III-V族化合物等材料的刻蝕。可應用于大規模集成電路、MEMS、光波導、光電子器件等域中各種微結構的制作。
2. 系統特性
擁有多種材料刻蝕解決方案，包括硅基材料、金屬、III-V和其他化合物半導體
可提供高低溫（-10℃至+150℃）工藝模式
可提供ALE解決方案，實現對刻蝕速率和均勻性的高精度控制
具備Bosch工藝能力，可提供高深寬比硅深槽或深孔刻蝕解決方案
適用于8英寸晶圓，并可向下兼容，提供單腔式和多腔式等多種腔室搭配方式
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