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上海菱聯自動化控制技術有限公司
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當前位置:上海菱聯自動化控制技術有限公司>>FUJITSU>> 6MBP150RTS120FUJITSU富士通芯片存儲器用于半導體

FUJITSU富士通芯片存儲器用于半導體

參  考  價面議
具體成交價以合同協議為準

產品型號6MBP150RTS120

品       牌FUJITSU/富士通

廠商性質經銷商

所  在  地上海市

更新時間:2024-07-08 20:57:36瀏覽次數:912次

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品牌 FUJITSU 型號 6MBP150RTS120
產地 日本 庫存數量 108825片
單位 發貨方法 快遞
參數 詳見說明書 工作環境溫度范圍 -40°C至+125°C
FUJITSU富士通芯片存儲器用于半導體6MBP150RTS120 多年來,FUJITSU一直以來傾注于提供高質量和高性能的存儲器,這對于那些增強型的數字應用而言必不可shao。富士通/fujitsu FRAM存儲器 IC芯片FRAM(鐵電RAM)是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲器。FRAM不需要備用電池來保留數據,并且具有更高的讀/寫耐久性,更快的寫入速度操作和更低的功耗。

FUJITSU富士通芯片存儲器用于半導體6MBP150RTS120 我們的優勢:存儲器是現代信息系統最關鍵的組件之一,已經形成主要由DRAM與NAND Flash構成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯時代的到來,

人工智能、智能汽車等新興應用場景對存儲提出了更高的性能要求,促使新型存儲器迅速發展,影響未來存儲器市場格局。目前,

新型存儲器主要有4種:相變存儲器(PCM),鐵電存儲器(FeRAM),磁性存儲器(MRAM)和阻變存儲器(ReRAM)。

其中,FeRAM是一種理想的存儲器,在計算機、航天航空、軍工等領域具有廣闊的應用前景,世界上許多大的半導體公司對此都十分重視。

代理品牌富士通半導體正在批量生產具有快速數據傳輸功能的 4Mbit FeRAM MB85RQ4ML。這種非易失性存儲器可以在最大 108MHz 的工

作頻率下實現每秒 54MByte 的數據傳輸率,并具有四個 I/O 引腳的 Quad SPI 接口(圖1)。本產品具有高速運算和非易失性的特點,

非常適合用于需要快速數據重寫的可編程邏輯控制器(PLC)和路由器等工業計算和網絡設備。

20 多年來,富士通半導體已量產的 FeRAM 產品,與 EEPROM 和閃存相比,具有更高的讀寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。到目前為止,這些高可靠性產品已成功應用于工業、基礎設施、消費和汽車領域。

FUJITSU富士通芯片存儲器用于半導體6MBP150RTS120 提供各產品信息服務:此外,一些客戶一直在要求 FeRAM 可以在非易失性存儲器的同時進行快速數據傳輸。我們很高興能夠通過 Quad SPI 4Mbit FeRAM 產品滿足這一要求。

MB85RQ4ML采用Quad SPI接口和1.8V電源電壓,在108MHz工作頻率下數據傳輸速率為54MB/s。在此產品發布之前,

具有 16 個 I/O 引腳的并行接口的 4Mbit FeRAM 是最快的 FeRAM,具有 13MB/s 的數據傳輸速度。然而,MB85RQ4ML

只有四個 I/O 管腳,讀寫數據大約是并行接口 FeRAM 的 4 倍(圖3)。 其封裝為 16pin SOP,封裝尺寸為 7.5mm x 10.3mm。

數據傳輸率比較

如果您在產品中使用閃存、EEPROM 或低功耗 SRAM,并且遇到以下任何問題,請考慮使用富士通半導體的 FeRAM 解決方案。

狀態:使用閃存 問題:由于寫入耐久性較低,軟件開發負擔較大

閃存保證幾十萬次的寫周期。如果數據被多次寫入內存中的同一區域,該區域很快就會達到保證寫入周期時間的上限。

因此,設計工程師必須開發一種名為“wear leveling"的軟件來分配內存區域中的寫入位置,以使數據不會多次寫入同一位置。

軟件開發的工作量對設計工程師來說是一個非常大的負擔。而 FeRAM 保證 10 萬億次讀/寫周期,并且數據可以像低功耗 SRAM 一樣被覆蓋到內存區域。

這些功能有助于設計工程師,因為工程師不需要開發復雜的數據寫入軟件,例如磨損均衡

磨損均衡示意圖

狀態:使用 EEPROM 問題:數據寫入時間較長

EEPROM 即使是 8 位數據寫入也有 5ms 的寫入周期時間,因為它除了寫入操作之外還包括擦除操作。另一方面,FeRAM 具有較短的寫入時間,例如在 8 位數據寫入時為數百納秒,因為它不需要擦除操作(圖5)。此外,帶有 SPI 接口的 EEPROM 在最高 20MHz 的工作頻率下具有 2.5Mbyte/s 的數據傳輸率。而富士通半導體的 Quad SPI FeRAM 有 54Mbyte/s,是 EEPROM 的 20 倍以上。

寫入時間比較

狀態:使用 SRAM 問題:難以取出電池并減少組件安裝面積

低功耗 SRAM 需要電池來保存數據以保存寫入的數據,但由于非易失性存儲器,FeRAM 不需要電池。然后,由于 SRAM 有 16 個 I/O 引腳,許多 SRAM 采用 44pin TSOP 封裝形式,但 MB85RQ4ML 采用 16pin SOP 封裝,具有 4 個 I/O 引腳。這意味著,如果您將 SRAM 替換為 FeRAM,您可以通過移除電池并使用更小的封裝來減少 77% 的內存安裝面積

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MB85RC16

MB85RC16V

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MB85RC04V

MB85R8M1TA

MB85R8M2TA

MB85R8M2T

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MB85R4002A

MB85R1001A

MB85R1002A

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MB85AS8MT











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