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美國 Angstrom Sciences 定制磁控管 離子源
荷蘭 HIGH VOLTAGE 負濺射離子源
HIGH VOLTAGE 負濺射離子源 MODEL 860A AND 860C
High Voltage 負濺射離子源 Model 860A and 860C 主要特點
? 易于操作和維護
? 可以提供周期表中幾乎所有元素的高強度離子束
? 束流高達150 µA
? 近光燈發射
? 易于裝載儲液罐
? 銫電荷壽命 > 1000 hours
? 易于更換來源材料
荷蘭 HIGH VOLTAGE 負濺射離子源 HVE 860 型是一種重離子源,可從各種元素材料中產生微安強度的負離子束。
負離子是通過用正銫離子轟擊所需束材料的圓柱形目標而產生的。靶材的顆粒被銫離子從靶材表面濺射出來,產生低速原子,在中性銫表面層進行電荷交換。這些次級負離子從目標表面被排斥并加速到地電位,根據提取電壓獲得約 10 – 40 keV 的束流能量。安裝在源外殼中的一對永磁體可抑制二次電子。為了改變離子種類,現有的陰極靶材可以通過在線閘閥輕松快速地更換
為新的陰極靶材,而不會破壞真空。
有兩種類型的 860 型濺射離子源可供選擇:
– 860A 型,帶有環形電離器,能夠在較長的時間內
產生高強度負離子束 – 860C 型,特別推薦使用球形電離器,當需要小發射光束在低加速電壓下或通過大型加速器系統進行高效傳輸時 將 860A 型離子源更改為 860C 型離子源的修改套件包括可用。
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