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上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積 參考價(jià):面議
上海實(shí)驗(yàn)室真空PECVD射頻模塊薄膜均勻沉積通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉...PECVD射頻模塊 參考價(jià):面議
PECVD射頻模塊通過(guò)反應(yīng)氣態(tài)放電,有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征,從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn),...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)