LT和LN晶圓Nano Quatz Wafer

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LT和LN晶圓Nano Quatz Wafer

由于產(chǎn)品型號(hào)眾多，網(wǎng)上表述不全，如需型號(hào)確認(rèn)或，我們將以認(rèn)真負(fù)責(zé)的態(tài)度、周到細(xì)致的服務(wù)處理您的每一次來(lái)電。

SAW 器件的基本原理是從電信號(hào)中產(chǎn)生彈性表面波并進(jìn)行再轉(zhuǎn)換。基板材料是壓電晶體，如石英 (SiO2)、鉭酸鋰 (LiTaO3) 或鈮酸鋰 (LiNbO3)。這是單晶材料，在生長(zhǎng)過(guò)程后切割成晶片的確定方向。NQW 為 SAW 制造和研發(fā)中心生產(chǎn)了這種晶片

LT /LN 材料

LT 鉭酸鋰 (LiTaO3)、LN 鈮酸鋰 (LiNbO3)

LT：典型切割 X112°Y/36°Y/42°Y/48°Y/ Z-cut

LN：典型切削 128°Y/64°Y /41°Y /Y / Z-cut

SAW/光學(xué)級(jí)，LN 黑色（無(wú)熱電效應(yīng)）

MgO摻雜LN晶圓

晶圓應(yīng)用

SAW器件特別用于手機(jī)中作為介質(zhì)濾波器、帶通濾波器、射頻濾波器和中頻濾波器

寬帶濾波器包括雷達(dá)技術(shù)

家用電子產(chǎn)品遙控器

尺寸和厚度

圓形晶圓 4" 至 8"

方形晶圓 10x10mm 至 100x100mm

厚度 250µm、350µm、500µm、1000µm

半扁平，邊緣 C 形

TTV <10µm（標(biāo)準(zhǔn)）到 <5µm（高級(jí)？）

弓形 +/-40µm , 翹曲 <40µm

表面和質(zhì)量

表面處理：?jiǎn)?雙面拋光、研磨、研磨

LTV≤0.4um EE 3mm, 5x5mm區(qū)域內(nèi)，適用于PLTV > 98%工作區(qū)域

拋光 Ra<1nm（標(biāo)準(zhǔn)）高達(dá) <0.5nm（CMP）

研磨 Ra 0.1µm 至 0.5µm

玻璃晶圓

玻璃晶圓是現(xiàn)代微系統(tǒng)技術(shù)的基礎(chǔ)。它特別用于半導(dǎo)體行業(yè)。一個(gè)常見(jiàn)的應(yīng)用是薄硅膜片或傳感器的機(jī)械穩(wěn)定性，以及用于 MEMS 的蝕刻結(jié)構(gòu)掩模。

玻璃晶圓基板是液晶面板和OLED基板的基本組成部分，晶圓質(zhì)量影響良率。來(lái)自主要制造商的所有等級(jí)和規(guī)格的 NQW 材料。NQW 提供的所有玻璃材料均經(jīng)過(guò)制造商認(rèn)證。

玻璃材質(zhì)

肖特：Borofloatt33、MEMPax、AF32、AF37、B270、N-BK7、光學(xué)玻璃

康寧：ULE 玻璃、Eagle XG、光學(xué)玻璃

其他定制

晶圓應(yīng)用

這種材料廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、醫(yī)學(xué)、通信、激光、紅外、電子、測(cè)量?jī)x器、軍事和航空航天。

尺寸和厚度

圓片 5mm 至 400mm

方形晶圓 4x4mm 至 1000x500mm

厚度 100µm 至 10000µm

TTV <10µm（標(biāo)準(zhǔn)）高達(dá) <5µm（高級(jí)）

弓形 +/-40µm , 翹曲 <40µm

半平、缺口或無(wú)截止

邊緣：C 形，斜面，切邊

表面和質(zhì)量

表面處理：?jiǎn)?雙面拋光、研磨、研磨

S/D-質(zhì)量 60/40（標(biāo)準(zhǔn)）高達(dá) 10/5（高級(jí)），

拋光 Ra<1nm（標(biāo)準(zhǔn)）高達(dá) <0.5nm（CMP）

研磨 Ra 0,1µm 至 2,0µm

不同顏色的高對(duì)比度激光標(biāo)記