杭州檸檬酸污水處理設備優質生產廠家
一體化污水處理設備是將一沉池、I、II級接觸氧化池、二沉池、污泥池集中一體的設備,并在I、II級接觸氧化池中進行鼓風曝氣,使接觸氧化法和活性污泥法有效的結合起來,同時具備兩者的優點,并克服兩者的缺點,使污水處理水平進一步提高。
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SDRL-AO湖南地埋式一體化污水處理設備
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在正常運行一段時間后,反滲透膜元件會受到給水中可能存在的懸浮物或難溶鹽的污染,這些污染中見的是碳酸鈣沉淀、鈣沉淀、金屬(鐵、錳、銅、鎳、鋁等)氧化物沉淀、硅沉積物、無機或有機沉積混合物、NOM天然有機物質、合成有機物(如:阻垢劑/分散劑,陽離子聚合電解質)、微生物 (藻類、霉菌、真菌)等污染。
1、反滲透膜污染特征
污染性質和污染速度取決于各種因素,如給水水質和系統回收率。通常污染是漸進發展的,如不盡早控制,污染將會在相對較短的時間內損壞膜元件。當膜元件確證已被污染,或是在長期停機之前,或是作為定期日常維護,建議對膜元件進行清洗。下表“反滲透膜污染特征”列出了常見的污染現象。
表:反滲透膜污染特征
污染種類 | 可能發生之處 | 壓降 | 給水壓力 | 鹽透過率 |
金屬氧化物(Fe、Mn、Cu、Ni、Zn) | 一段,前端膜元件 | 迅速增加 | 迅速增加 | 迅速增加 |
膠體(有機和無機混合物) | 一段,前端膜元件 | 逐漸增加 | 逐漸增加 | 輕度增加 |
礦物垢(Ca、Mg、Ba、Sr) | 末段,末端膜元件 | 適度增加 | 輕度增加 | 一般增加 |
聚合硅沉積物 | 末段,末端膜元件 | 一般增加 | 增加 | 一般增加 |
生物污染 | 任何位置,通常前端膜元件 | 明顯增加 | 明顯增加 | 一般增加 |
有機物污染(難溶NOM) | 所有段 | 逐漸增加 | 增加 | 降低 |
阻垢劑污染 | 二段嚴重 | 一般增加 | 增加 | 一般增加 |
氧化損壞 | 一段嚴重 | 一般增加 | 降低 | 增 加 |
水解損壞(超出pH范圍) | 所有段 | 一般降低 | 降低 | 增 加 |
磨蝕損壞(碳粉) | 一段嚴重 | 一般降低 | 降低 | 增 加 |
O型圈滲漏(內連接管或適配器) | 無規則,通常在給水適配器處 | 一般降低 | 一般降低 | 增 加 |
膠圈滲漏(產水背壓造成) | 一段嚴重 | 一般降低 | 一般降低 | 增 加 |
膠圈滲漏(清洗或沖洗時關閉產水閥造成) | 末端元件 | 增加(污染初期和壓差升高) | 增 加 |
2、污染情況分析
碳酸鈣垢:
碳酸鈣垢是一種礦物結垢。當阻垢劑/分散劑添加系統出現故障時,或是加酸pH調節系統出故障而引起給水pH增高時,碳酸鈣垢有可能沉積出來。盡早地檢測碳酸鈣垢,對于防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是必要的。早期檢測出的碳酸鈣垢可由降低給水的pH值至3~5,運行1~2小時的方法去除。對于沉積時間長的碳酸鈣垢,可用低pH值的檸檬酸溶液清洗去除。
鈣、鋇、鍶垢:
鹽垢是比碳酸鈣垢硬很多的礦物質垢,且不易去除。鹽垢可在阻垢劑/分散劑添加系統出現故障或加調節pH時沉積出來。海德能公司認為盡早地檢測鹽垢對于防止膜層表面沉積的晶體損傷膜元件是必要的。鋇和鍶垢較難去除,因為它們幾乎在所有的清洗溶液中難以溶解,所以,應加以特別的注意以防止此類結垢的生成。
金屬氧化物/氫氧化物污染:
典型的金屬氧化物和金屬氫氧化物污染為鐵、鋅、錳、銅、鋁等。這種垢的形成導因可能是裝置管路、容器(罐/槽)的腐蝕產物,或是空氣中氧化的金屬離子、氯、臭氧、鉀、高錳酸鹽,或是由在預處理過濾系統中使用鐵或鋁助凝劑所致。
聚合硅垢:
硅凝膠層垢由溶解性硅的過飽和態及聚合物所致,且非常難以去除。需要注意的是,這種硅的污染不同于硅膠體物的污染。硅膠體物污染可能是由與金屬氫氧化物締合或是與有機物締合而造成的。硅垢的去除很艱難,可采用傳統的化學清洗方法。
膠體污染:
膠體是懸浮在水中的無機物或是有機與無機混合物的顆粒,它不會由于自身重力而沉淀。膠體物通常含有以下一個或多個主要組份,如:鐵、鋁、硅、硫或有機物。
非溶性的天然有機物污染(NOM):
非溶性天然有機物污染(NOM——Natural Organic Matter)通常是由地表水或深井水中的營養物的分解而導致的。有機污染的化學機理很復雜,主要的有機組份或是腐植酸,或是灰黃霉酸。非溶性NOM被吸附到膜表面可造成RO膜元件的快速污染,一旦吸收作用產生,漸漸地結成凝膠或塊狀的污染過程就會開始。
微生物沉積:
有機沉積物是由細菌粘泥、真菌、霉菌等生成的,這種污染物較難去除,尤其是在給水通路被*堵塞的情況下。給水通路堵塞會使清潔的進水難以充分均勻的進入膜元件內。為抑制這種沉積物的進一步生長,重要的是不僅要清潔和維護RO系統,同時還要清潔預處理、管道及端頭等。
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