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測量功能 | 直流電流 | 產地類別 | 進口 |
---|---|---|---|
二極管測試 | 是 | 款式 | 臺式萬用表 |
類型 | 數字萬用表 | 數據保持 | 是 |
通斷蜂鳴測試 | 是 | 應用領域 | 電子,交通,航天,汽車,綜合 |
自動關機 | 否 | 自動量程 | 是 |
從輩份講,2002是小字輩的,因為生產年代比較晚,大約是2000年。當然,晚出有,因為可以參照別人的成熟技術,采用新的結構設計和元件。
外觀上看,與自己的2000六位半、2001七位半同樣大小,半寬,這在8位半里。別的八位半都是標準寬度。
指標上看,基本檔24小時1.2ppm,明顯不如主流8位半的0.5ppm,當然1年指標10ppm也不算很差。電阻基本檔1年9ppm,很不錯了,甚至比電壓檔的指標還好,這很少見。尤其是2年指標11ppm,更是少有。
溫度系數做的還不錯,2V檔0.2ppm/C,20V檔0.3ppm/C,2k/20k檔0.8ppm/C。
直流電流的指標350ppm/a很差,不比2001的400ppm好,34401的還是500ppm/a呢。
交流基本檔200ppm/a,二流水平。
轉移特性指標做的還不錯,20V是0.15ppm、10V是0.2ppm。這個指標比3458A還差了一倍,但比8508A要好。但是,2002的線性指標0.2ppm不高,因此看來轉移特性指標還是有水分。
噪音特性,NPLC=10下基本檔為0.6uVrms,還不錯,與3458A的0.3uVrms只差一倍。
從測試速度看,這是三款達到每秒6次的高速8位半之一。另外兩款中,3458實際測試速度要比指標高很多(10倍),而R6581與指標相等。2002到底,待測試后就見分曉。
外觀上看,盡管半寬的面板小,但安排的很緊湊,尤其是顯示內容豐富,雙排VFD點陣,外加一排狀態行,與Advantest R6581類似。
多臺收購吉時利2002八位半數字萬用表
吉時利KEITHLEY2000,2001,2002,2010萬用表應用領域:
離散和無源元件
–兩抽頭器件——傳感器、磁盤驅動器頭、金屬氧化物可變電阻(MOV)、二極管、齊納二極管、電容、熱敏電阻
–三抽頭器件——小信號雙極結型晶體管(BJT)、場效應晶體管(FET)等等
簡單IC器件——光學器件、驅動器、開關、傳感器
集成器件——小規模集成(SSI)和大規模集成(LSI)
–模擬IC
–射頻集成電路(RFIC)
–集成電路(ASIC)
–片上系統(SoC)器件
光電器件,例如發光二極管(LED)、激光二極管、高亮度LED(HBLED)、垂直腔面發射激光器(VCSEL)、顯示器
圓片級可靠性
- NBTI、TDDB、HCI、電遷移
太陽能電池
電池
暫態抑制器件
IC、RFIC、MMIC
激光二極管、激光二極管模塊、LED、光電檢測器
電路保護器件:
TVS、MOV、熔絲
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連接器、開關、繼電器
碳納米管
半導體納米線
碳納米管 FET
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二極管和電路
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低壓、電阻
LIV
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隔離與軌跡電阻
溫度系數
正向電壓、反向擊穿、漏電流
直流參數測試
直流電源
HIPOT
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雙極結型晶體管設計
結型場效應晶體管設計
金屬氧化物半導體場效應晶體管設計
太陽能電池和 LED 設計
高電子遷移率晶體管設計
復合半導體器件設計
分析納米材料和實驗器件
碳納米管的電測量標準
測量碳納米管電氣特性
提高納米電子和分子電子器件的低電流測量
在低功率和低壓應用中實現準確、可靠的電阻測量
納米級器件和材料的電氣測量
提高超高電阻和電阻率測量的可重復性
一種微分電導的改進測量方法
納米技術準確電氣測量的技術
納米級材料的電氣測量
降低外部誤差源影響的儀器技術
迎接65nm節點的測量挑戰
測量半導體材料的高電阻率和霍爾電壓
用微微微安量程測量電流
柵極電介質電容電壓特性分析
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評估氧化層的可靠性
的半導體器件結構設計和試驗低電阻、低功耗半導體器
輸出極低電流和測量極低電壓分析現代材料、半導體和納米電子元件的電阻
低阻測量(低至10nΩ)分析導通電阻參數、互連和低功率半導體。
用于*CMOS技術的脈沖可靠性測試
高K柵極電介質電荷俘獲行為的脈沖特性分析
用6線歐姆測量技術進行更高準確度的電阻測量
配置分立電阻器驗證測試系統
電信激光二極管模塊的高吞吐率直流生產測試
多臺數字源表的觸發器同步
高亮度、可見光LED的生產測試
OLED顯示器的直流生產測試
在運行中第5次測量用于偏置溫度不穩定特性分析
數字源表的緩沖器以及如何用這兩個緩沖器獲取多達5000點數據
連接器的生產測試方案
射頻功率晶體管的直流電氣特性分析
1. MOS 電容器
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