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少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+)
用于單晶硅錠、硅磚和硅晶圓片的生產(chǎn)和質(zhì)量監(jiān)控。用于HJT、HIT、TOPcon、雙面PERC、PERC+太陽能電池、鈣鈦礦等中的硅材料。
特點 ：
◇ 壽命范圍：20 ns至100 ms（樣品電阻率 > 0.3 Ohm cm）
◇ SEMI標準：PV9-1110
◇ 測試速度：線掃描 < 30 s；完整的面掃秒 < 5 min
◇ 同時測量：壽命μPCD/MDP（QSS）和電阻率
◇ 自動幾何形狀識別： G12、M10晶磚和晶圓片
應(yīng)用 :
◇ 壽命 & 電阻率面掃描
◇ 晶體生長監(jiān)控（即滑移線）
◇ 污染監(jiān)測
◇ 氧條紋/OSF環(huán)
◇ P 型摻雜硅的鐵面掃描圖
◇ 發(fā)射極層的方阻
◇ 更多…
技術(shù)規(guī)格 :
| 材料 | 單晶硅 |
| 晶錠尺寸 | 125 x 125至210 x 210 mm2，晶磚長850 mm或更長 |
| 晶圓尺寸 | 直徑可達300 mm |
| 電阻率范圍 | 0.5 – 5 ohm cm。根據(jù)要求提供其他范圍 |
| 導電類別 | p/n |
| 可測量的參數(shù) | 壽命-μPCD/MDP（QSS）、光電導率、電阻率等 |
| 默認激光器 | IR激光二極管（980 nm，不超過500 mW）和IR激光二極管（905 nm，不超過9000 mW）。可根據(jù)要求提供其他波長 |
| 電腦 | Windows 11或新版本、.NET Framework更新、2個以太網(wǎng)端口 |
| 電力要求 | 100 – 250 V AC, 6 A |
| 尺寸（寬*高*長） | 2560 × 1910 × 1440 mm |
| 重量 | 約200 kg |
| 認證 | 根據(jù)ISO 9001準則制造，符合CE要求 |
直拉硅單晶硅錠中的滑移線
含有大量缺陷的準單晶硅錠的壽命測量
MDP studio - 操作和評估軟件 ：
用戶友好且*的操作軟件具有：
◇ 導入和導出功能
◇ 帶有操作員的用戶結(jié)構(gòu)
◇ 所有執(zhí)行的測量概覽
◇ 樣品參數(shù)輸出
◇ 單點測量（例如：注入濃度相關(guān)的測量）
◇ 面掃描
◇ 測試配方
◇ 分析功能包
◇ 線掃描和單點瞬態(tài)視圖
配置選項：
◇ 光斑尺寸變化
◇ 電阻率測量（晶磚和晶圓片）
◇ 背景/偏置光
◇ 反射測量（MDP）
◇ LBIC
◇ P型摻雜硅中的鐵圖譜
◇ p/n檢測
◇ 條碼讀取器
◇ 自動幾何識別
◇ 寬的激光器波長范圍
少子壽命測試儀µPCD/MDP (MDPpro 850+) 應(yīng)用 ：
鐵濃度測定
鐵的濃度的精確測定是非常重要的，因為鐵是硅中豐富也是有害的缺陷之一。因此，有必要盡可能準確和快速地測量鐵濃度，具有非常高的分辨率且**是在線的
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摻雜樣品的光電導率測量
B和P的摻雜在微電子工業(yè)中有許多應(yīng)用，但到目前為止，沒有方法可以在不接觸樣品和由于必要的退火步驟而改變其性質(zhì)的情況下檢查這些摻雜的均勻性。迄今為止的困難……
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陷阱濃度測定
陷阱中心是非常重要的，為了了解材料中載流子的行為，也可以對太陽能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率測量這些陷阱中心的陷阱密度和活化能。
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注入相關(guān)測量
少數(shù)載流子壽命強烈依賴于注入(過剩余載流子濃度)。從壽命曲線的形狀和高度可以推斷出摻雜復合中心和俘獲中心的信息。
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遠程訪問基于IP的系統(tǒng)允許在世界任何地方進行遠程操作和技術(shù)支持
多晶硅晶圓線掃描
HJT晶圓的壽命測量
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