CVD-銅基硅基單層/少層/多層氮化硼BN薄膜

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CVD-少層氮化硼BN薄膜
硅基單層氮化硼BN薄膜
CVD-多層氮化硼BN薄膜
CVD銅基多層氮化硼薄膜

CVD-銅基硅基單層/少層/多層氮化硼BN薄膜

在50um厚銅箔上生長了多層氮化硼薄膜。h-B N是一種直接能隙為6ev的體，B-N原子間具有強的離子鍵。我們采用h-BN化學氣相沉積工藝，使缺陷密度保持在較低水平（~1E10-1e11cm-2），并增加單疇尺寸以降低1D晶粒缺陷濃度。多層h-BN板尺寸約為5cm x 5cm或約2x2英寸。

h-BN的性質

在50um厚銅箔上生長了多層氮化硼薄膜。h-B N是一種直接能隙為6ev的體，B-N原子間具有強的離子鍵。我們采用h-BN化學氣相沉積工藝，使缺陷密度保持在較低水平（~1E10-1e11cm-2），并增加單疇尺寸以降低1D晶粒缺陷濃度。多層h-BN板尺寸約為5cm x 5cm或約2x2英寸。

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基于二氧化硅基底的單層連續二硫化鉬薄膜（10*10mm）
基于柔性PET基底的三角形單層二硫化鉬（10*10mm）
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基于藍寶石襯底的全區域覆蓋的少層二硒化鉑
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基于藍寶石襯底的全區域覆蓋的單層二硒化鎢
Full Area Cove
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溫馨提醒：用于科研哦（zhn2020.05.14）