PICOSUN原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200基礎(chǔ)版

（PICOSUN™ ALD R-200 Standard）

名稱：原子層沉積系統(tǒng)  產(chǎn)地：芬蘭
 

Picosun簡介

Picosun是yi家公司，Picosun的總部位于芬蘭的Espoo，其生產(chǎn)設(shè)施位于芬蘭的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN®ALD設(shè)備專為高產(chǎn)量和高產(chǎn)量而設(shè)計(jì)，并且不斷發(fā)展以提高效率。Picosun適應(yīng)性強(qiáng)其客戶包括   大的電子制造商，小型的創(chuàng)新型挑戰(zhàn)者以及  先的大學(xué)。 Picosun的組織機(jī)構(gòu)和種類繁多的ALD解決方案都可以滿足每個(gè)客戶的需求。PICOSUN®研發(fā)工具具有du特的內(nèi)置可擴(kuò)展性，可確保將研究結(jié)果平穩(wěn)過渡到大批量工業(yè)制造中，而不會(huì)出現(xiàn)技術(shù)差距。Picosun的熱情在于創(chuàng)新。當(dāng)您想與設(shè)備制造商共同創(chuàng)建定制的ALD解決方案，從而引  行業(yè)發(fā)展時(shí)，Picosun是您的合作伙伴。

Picosundu特的突破性ALD專業(yè)知識(shí)可追溯到ALD技術(shù)本身的誕生。于1974年在芬蘭發(fā)明了ALD方法，并在工業(yè)上獲得了  。在高質(zhì)量ALD系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。高度敬業(yè)的Picosun人員擁有的ALD經(jīng)驗(yàn)，并且為ALD的許多  做出了貢獻(xiàn)。

    PICOSUN™ R系列設(shè)備提供高質(zhì)量ALD薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)ji佳的均勻性，包括 具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3D樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度 小的薄膜層。在 基本的PICOSUN™ R系列配置中可以選擇多個(gè)du立的，*分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。PICOSUN™ R系列du特的擴(kuò)展性使ALD工藝可以從研究環(huán)境直接過渡到生產(chǎn)環(huán)境的PICOSUN™ P系列ALD系統(tǒng)。由于研發(fā)型與生產(chǎn)型PICOSUN™反應(yīng)腔室核心設(shè)計(jì)特點(diǎn)都是相同的,這消除了實(shí)驗(yàn)室與制造車間之間的鴻溝。對(duì)大學(xué)來說,突破創(chuàng)新的技術(shù)轉(zhuǎn)化到生產(chǎn)中，就會(huì)吸引到企業(yè)投資。

PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)

PICOSUN®R-200標(biāo)準(zhǔn)ALD系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對(duì)象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場領(lǐng)dao者。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的公司和研究機(jī)構(gòu)的shou選工具。

敏捷的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了 高質(zhì)量的ALD薄膜沉積以及系統(tǒng)的 終靈活性，可以滿足未來的需求和應(yīng)用。  的熱壁設(shè)計(jì)具有*du立的入口和儀器，可實(shí)現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對(duì)象和所有納米級(jí)特征上的多種材料。得益于我們專有的Picoflow™技術(shù)，即使在 具挑戰(zhàn)性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實(shí)現(xiàn)出色的均勻性。 PICOSUN®R-200 Standard系統(tǒng)配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源。與手套箱，粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成，無論您現(xiàn)在的研究領(lǐng)域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領(lǐng)域，都可以進(jìn)行高效，靈活的研究，并獲得良好的結(jié)果。

技術(shù)指標(biāo)

應(yīng)用領(lǐng)域

客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。