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絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）簡介
閱讀：710 發布時間：2018-9-11
IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做絕緣柵極雙極晶體管。這種器件具有MOS門極的高速開關性能和雙極動作的高耐壓、大電流容量的兩種特點。其開關速度可達1mS，額定電流密度100A/cm2，電壓驅動，自身損耗小。其符號和波形圖如下圖所示。
IGBT可以耐高壓、大電流，常以一個單元、二個單元、六個單元裝在一個芯片上，下圖給出一、二、六單元在一個硅片上的等效電路。