細胞損傷控制儀（CICⅡ）

美國VCU品牌神經外科創傷性腦損傷模型系統——便于觀察和施加干預因素，控制性佳、可分級、可復制性好符合人類腦創傷

創傷性腦損傷是神經外科樶常見的疾病，是導致創傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經生化、生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質量。故建立各種便于觀察和施加干預因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創傷特點的創傷性人類腦創傷特點的創傷性腦損傷模型，是目前創傷性腦損傷的研究熱點。

細胞損傷控制儀（Cell Injury Controller II）采取電子式控制，適合腦源性細胞培養樣品，或其它離體培養細胞的牽張性損傷模型制作。損傷后可進行神經生化、形態學、生理學，藥物干預等方面的研究。

細胞損傷控制儀使用Flexcell公司的Tissue Train 三維細胞組織應力加載系統。

細胞損傷控制儀II（CIC II）是一種電子控制的氣動裝置，可以研究組織培養的細胞對創傷的形態、生理和生化反應。商業可用的組織培養系統一起使用。公司位于北卡羅來納州希爾斯堡市。組織培養物生長在具有可拉伸的膜底部的培養孔中。

細胞損傷控制儀可以調節壓縮氣體的流量，使單個培養孔快速加壓，對培養物造成徑向拉伸損傷。損傷的嚴重程度是通過控制氣體進出密封培養孔來確定的。

峰值壓力被捕獲，提供了一個精1確的徑向拉伸指標。CIC II可以使用Flex I®29.45cm2 的培養盤（用于早期的CIC 94A型）和BioFlex®57.75cm2 的培養盤。

根據細胞類型、損傷程度和培養條件的不同，受傷的細胞可能會死亡或修復。

因此，該系統可用于研究對創傷的反應，包括細胞損傷、修復、死亡或藥理干預。

細胞損傷控制儀平均把壓縮氣體送到每個培養室，以造成培養組織牽張性的損傷，損傷的嚴重程度是依靠控制進出密閉培養室的氣體量。培養室的峰值壓力同時被記錄下來，這個數值可以用來精1確地表明引起牽張性細胞損傷的氣壓值。細胞損傷控制儀（CIC II）可以搭配BioFlex 57.75cm 柔性基底培養板。

根據細胞類型、損傷程度和培養條件的不同，受傷的細胞可能會死亡或修復。因此，該系統可用于研究對創傷的反應，包括細胞損傷、修復、死亡或藥理干預。