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FT-335四探針電阻率測(cè)試儀按照硅片電阻率測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)（ASTM F84）及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)制造該儀器設(shè)計(jì)，符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、...

多功能四探針/四點(diǎn)探針測(cè)試儀 很流源輸出，可同時(shí)顯示電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導(dǎo)率；人體工程學(xué)設(shè)計(jì)...

金屬薄片低阻雙電四探針測(cè)試儀，是目前同行業(yè)中能測(cè)量到的Z小值，采用高精度AD芯片控制，恒流輸出，結(jié)構(gòu)合理、質(zhì)量輕便，運(yùn)輸安全、使用方便；適用于生產(chǎn)企業(yè)、高等院校...

高溫四探針測(cè)試儀現(xiàn)貨，采用由四探針雙電測(cè)量方法測(cè)試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗(yàn)箱結(jié)合配置的高溫測(cè)試探針治具，滿足半導(dǎo)體材料因溫度變化對(duì)電阻值變化的測(cè)量要求，通過(guò)良...

高溫四探針電阻測(cè)試儀，該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。利用電流探針、電壓探針的變換，進(jìn)行兩次電測(cè)量，對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行雙電測(cè)分析，...

金屬薄膜四探針電阻率測(cè)試儀可以測(cè)量片狀、塊狀半導(dǎo)體材料的電阻率，擴(kuò)散層的薄層電阻（亦稱方塊電阻）。也可測(cè)柔性導(dǎo)電薄膜和玻璃等硬基底上導(dǎo)電膜的方塊電阻（簡(jiǎn)稱方阻）...