儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
（2）范圍：電阻率10-5～10+3歐姆·厘米，分辨率為10-5歐姆·厘米
方塊電阻10-4～10+4歐姆/□，zui小分辨率為10-4歐姆/□
（3）可測量材料：半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等
可準確測量的半導體尺寸：直徑≥20㎜

可測量的半導體尺寸：直徑≥8㎜
（4）測量方式：平面測量。
（5）電壓表：雙數字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化
A.量程0~19.999 mV
B.基本誤差±（0.004%讀數+0.01%滿度）
C.靈敏度：1uV
D輸入阻抗﹥1000MΩ
E 4 1/2位數字顯示，0～19999
（6）恒流源：
A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續可調，有交流電源供給
B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔

C.恒流源精度：各檔均≤±0.05%
（7）四探針測試探頭
A.探頭間距1.59㎜
B.探針機械游率：±0.3%
C.探針直徑0.8㎜
D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐姆。
（8）測試架：（選配）
手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架探頭上下由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可上下移動距離：120mm，測試臺面200x200（mm）。
（9）精度
電器精度：1-1000歐姆≤0.3 %
整機測量精度：1-100歐姆·厘米≤3%
（10）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W

注：如果測金屬粉末電阻率必把樣品壓成塊或片才能測

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成都大學在我單位購買低阻型四探針檢測儀/方阻儀/四探針電阻率檢測儀

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