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上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)有限公司

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美國(guó)KEYSIGHT是德LCR電橋E4980A
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堅(jiān)融實(shí)業(yè)——專注工業(yè)測(cè)試行業(yè)十六年!
致力于美國(guó)KEYSIGHT是德LCR電橋E4980A儀器設(shè)備售前演示實(shí)測(cè)、測(cè)試方案應(yīng)用、技術(shù)使用培訓(xùn)及售后維修服務(wù)。
堅(jiān)融實(shí)業(yè)——一家真正有技術(shù)支持的儀器儀表設(shè)備供應(yīng)商!
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美國(guó)是德Keysight LCR電橋E4980AL-032    20Hz to 300 kHz with DCR
美國(guó)是德Keysight LCR電橋E4980AL-052    20Hz to 500 kHz with DCR

美國(guó)是德Keysight LCR電橋E4980AL-102    20Hz to 1 MHz with DCR
美國(guó)是德KEYSIGHT E4980AL LCR電橋 精密LCR表,20 Hz至2 MHz



測(cè)量參數(shù)

– Cp-D、 Cp-Q、 Cp-G、 Cp-Rp

– Cs-D、 Cs-Q、 Cs-Rs

– Lp-D、 Lp-Q、 Lp-G、 Lp-Rp、 Lp-Rdc

– Ls-D、 Ls-Q、 Ls-Rs、 Ls-Rdc

– R-X

– Z-qd、 Z-qr

– G-B

– Y-qd、 Y-qr

– Vdc-Idc1

定義

Cp 通過(guò)并聯(lián)等效電路模型測(cè)得的電容值

Cs 通過(guò)串聯(lián)等效電路模型測(cè)得的電容值

Lp 通過(guò)并聯(lián)等效電路模型測(cè)得的電感值

Ls 通過(guò)串聯(lián)等效電路模型測(cè)得的電感值

D 損耗因數(shù)

Q 品質(zhì)因數(shù)(D 的倒數(shù))

G 通過(guò)并聯(lián)等效電路模型測(cè)得的等效并聯(lián)電導(dǎo)

Rp 通過(guò)并聯(lián)等效電路模型測(cè)得的等效并聯(lián)電阻

Rs 通過(guò)串聯(lián)等效電路模型測(cè)得的等效串聯(lián)電阻

Rdc 直流電阻

R 電阻

X 電抗

Z 阻抗

Y 導(dǎo)納

qd 阻抗/導(dǎo)納相位角(角度)

qr 阻抗/導(dǎo)納相位角(弧度)

B 電納

Vdc 直流電壓

Idc 直流電流

偏差測(cè)量功能: 參考值偏差以及參考值偏差百分比可以作為結(jié)果輸出。

測(cè)量等效電路: 并聯(lián)、串聯(lián)

阻抗范圍選擇: 自動(dòng)(自動(dòng)范圍模式)、手動(dòng)(保持范圍模式)

觸發(fā)模式: 內(nèi)部觸發(fā)( INT)、手動(dòng)觸發(fā)( MAN)、外部觸發(fā)( EXT)、 GPIB 觸發(fā)(BUS)



美國(guó)KEYSIGHT是德LCR電橋E4980A基本技術(shù)指標(biāo)

1. 觸發(fā)時(shí)延范圍 0 s - 999 s

分辨率 100 µs (0 s - 100 s)

1 ms (100 s - 999 s)

表 2. 階躍時(shí)延

范圍 0 s - 999 s

分辨率 100 µs (0 s - 100 s)

1 ms (100 s - 999 s)

測(cè)量端子: 四端子對(duì)

測(cè)試線纜長(zhǎng)度: 0 m、 1 m、 2 m、 4 m

測(cè)量時(shí)間模式:短時(shí)間(SHORT)模式、中等長(zhǎng)度時(shí)間(MED)模式、長(zhǎng)時(shí)間(LONG)模式。

表 3. 平均值

范圍 1 - 256 次測(cè)量

分辨率 1

測(cè)試信號(hào)

表 4. 測(cè)試頻率

測(cè)試頻率 20 Hz - 2 MHz (E4980A)

20 Hz - 1 MHz (E4980AL-102)

20 Hz - 500 kHz (E4980AL-052)

20 Hz - 300 kHz (E4980AL-032)

分辨率 0.01 Hz (20 Hz - 99.99 Hz)

0.1 Hz (100 Hz - 999.9 Hz)

1 Hz (1 kHz - 9.999 kHz)

10 Hz (10 kHz - 99.99 kHz)

100 Hz (100 kHz - 999.9 kHz)

1 kHz (1 MHz - 2 MHz)

測(cè)量精度 ±0.01%

表 5. 測(cè)試信號(hào)模式

常規(guī) 在測(cè)量端子開(kāi)路或短路時(shí),程序分別選擇的電壓或電流。

恒定 無(wú)論被測(cè)器件阻抗如何變化,均在被測(cè)器件上維持選定的電壓或電流。


表 6. 測(cè)試信號(hào)電壓

范圍 0 Vrms - 2.0 Vrms

分辨率 100 µVrms (0 Vrms - 0.2 Vrms)

200 µVrms (0.2 Vrms - 0.5 Vrms)

500 µVrms (0.5 Vrms - 1 Vrms)

1 mVrms (1 Vrms - 2 Vrms)

精度 常規(guī) ±(10% + 1 mVrms) 測(cè)試頻率 ≤ 1 MHz:技術(shù)指標(biāo)

測(cè)試頻率 > 1 MHz:典型值

恒定1 ±(6% + 1 mVrms) 測(cè)試頻率 ≤ 1 MHz:技術(shù)指標(biāo)

測(cè)試頻率 > 1 MHz:典型值

表 7. 測(cè)試信號(hào)電流

范圍 0 Arms - 20 mArms

分辨率 1 µArms (0 Arms - 2 mArms)

2 µArms (2 mArms - 5 mArms)

5 µArms (5 mArms - 10 mArms)

10 µArms (10 mArms - 20 mArms)

精度 常規(guī) ±(10% + 10 µArms) 測(cè)試頻率 ≤ 1 MHz:技術(shù)指標(biāo)

測(cè)試頻率 > 1 MHz:典型值

恒定1 ±(6% + 10 µArms) 測(cè)試頻率 ≤ 1 MHz:技術(shù)指標(biāo)

測(cè)試頻率 > 1 MHz:典型值

輸出阻抗: 100 Ω(標(biāo)稱值)

測(cè)試信號(hào)電平監(jiān)測(cè)功能

– 可以監(jiān)測(cè)測(cè)試信號(hào)的電壓和電流。

– 電平監(jiān)測(cè)精度:

表 8. 測(cè)試信號(hào)電壓監(jiān)測(cè)精度(Vac)

測(cè)試信號(hào)電壓2 測(cè)試頻率 技術(shù)指標(biāo)

5 mVrms - 2 Vrms ≤ 1 MHz ±(讀數(shù)的 3% + 0.5 mVrms)

> 1 MHz ±(讀數(shù)的 6% + 1 mVrms)

表 9. 測(cè)試信號(hào)電流監(jiān)測(cè)精度(lac)

測(cè)試信號(hào)電流2 測(cè)試頻率 技術(shù)指標(biāo)

50 µArms - 20 mArms ≤ 1 MHz

> 1 MHz

±(讀數(shù)的 3% + 5 µArms)

±(讀數(shù)的 6% + 10 µArms)

1. 當(dāng)自動(dòng)電平控制功能開(kāi)啟時(shí)。

2. 這不是輸出值,而是顯示的測(cè)試信號(hào)電平。


表 10 列出了屏幕上可以顯示的測(cè)量值范圍。對(duì)于有效的測(cè)量范圍,參見(jiàn)圖 1 中的阻抗

測(cè)量精度示例。

表 10. 允許的測(cè)量值顯示范圍

參數(shù) 測(cè)量顯示范圍

Cs、 Cp ± 1.000000 aF 至 999.9999 EF

Ls、 Lp ±1.000000 aH 至 999.9999 EH

D ±0.000001 至 9.999999

Q ±0.01 至 99999.99

R、 Rs、 Rp、 X、 Z、 Rdc ±1.000000 a? 至 999.9999 E?

G、 B、 Y ±1.000000 aS 至 999.9999 ES

Vdc ±1.000000 aV 至 999.9999 EV

Idc ±1.000000 aA 至 999.9999 EA

qr ±1.000000 arad 至 3.141593 rad

qd ±0.0001 deg 至 180.0000 deg

?% ±0.0001% 至 999.9999%

a: 1 x 10-18、 E: 1 x 1018


絕對(duì)測(cè)量精度

絕對(duì)精度使用以下方程式來(lái)計(jì)算。

|Z|、 |Y|、 L、 C、 R、 X、 G、 B 的絕對(duì)精度 Aa(當(dāng)Dx ≤ 0.1 時(shí), L、 C、 X 和 B 精度適

用,當(dāng) Qx ≤ 0.1 時(shí), R 和 G 精度適用)

當(dāng) Dx ≥ 0.1,用 Acal 乘以 √1+D2x, 得到 L、 C、 X 和 B 精度

當(dāng) Qx ≥ 0.1,用 Acal 乘以 √1+Q2x ,得到 R 和 G 精度

在交流磁場(chǎng)中,可以使用以下方程式來(lái)計(jì)算測(cè)量精度。

A x (1 + B x ( 2 + 0.5 / Vs))

其中 A 絕對(duì)精度

B 磁感應(yīng)強(qiáng)度 [Gauss]

Vs 測(cè)試信號(hào)電壓電平 [V]

方程式 1: Aa = Ae + Acal

Aa 絕對(duì)精度(讀數(shù)的 %)

Ae 相對(duì)精度(讀數(shù)的 %)

Acal 校準(zhǔn)精度(%)

其中, G 精度僅適用于 G-B 測(cè)量。

D 精度(當(dāng) Dx ≤ 0.1 時(shí))

方程式 2: De +qcal

Dx 測(cè)得的 D 值

De D 的相對(duì)精度

qcal q 的校準(zhǔn)精度(弧度)

當(dāng) 0.1 < Dx ≤ 1 時(shí),用 qcal 乘以 (1 + Dx)

Q 精度(當(dāng) Qx × Da < 1 時(shí))

方程式 3: (Qx2 × Da)

± ————————————

(1 ± Qx × Da)

Qx 測(cè)得的 Q 值

Da D 的絕對(duì)精度

q 精度

方程式 4: qe + qcal

qe q 的相對(duì)精度(角度)

qcal q 的校準(zhǔn)精度(角度)G 精度(當(dāng) Dx ≤ 0.1 時(shí))

方程式 5: Bx + Da (S)

1

Bx = 2πfCx = ——————

2πfLx

Dx 測(cè)得的 D 值

Bx 測(cè)得的 B 值 (S)

Da D 的絕對(duì)精度

f 測(cè)量頻率 (Hz)

Cx 測(cè)得的 C 值 (F)

Lx 測(cè)得的 L 值 (H)

其中, G 精度適用于 Cp-G 測(cè)量。

Rp 的絕對(duì)精度(當(dāng) Dx ≤ 0.1 時(shí))

方程式 6: Rpx × Da

±————————— (?)

Dx± Da

Rpx 測(cè)得的 Rp 值 (Ω)

Dx 測(cè)得的 D 值

Da D 的絕對(duì)精度

Rs 的絕對(duì)精度(當(dāng) Dx ≤ 0.1 時(shí))

方程式 7: Xx × Da (?)

1

Xx = ——————= 2πfLx

2πfCx

Dx 測(cè)得的 D 值

Xx 測(cè)得的 X 值 (?)

Da D 的絕對(duì)精度

f 測(cè)試頻率 (Hz)

Cx 測(cè)得的 C 值 (F)

Lx 測(cè)得的 L 值 (H)


1. 當(dāng)計(jì)算結(jié)果為負(fù)值時(shí),應(yīng)用 0 A。

相對(duì)精度

相對(duì)精度包括穩(wěn)定度、溫度系數(shù)、線性度、重復(fù)度以及校準(zhǔn)內(nèi)插值誤差。相對(duì)精度是在滿足以下所有條件時(shí)規(guī)定的:

– 預(yù)熱時(shí)間: 30 分鐘

– 測(cè)試線纜長(zhǎng)度: 0 m、 1 m、 2 m 或 4 m(Keysight 16048A/D/E)

– 沒(méi)有顯示“信號(hào)源過(guò)載"警告。

當(dāng)測(cè)試信號(hào)電流超過(guò)下面表 11 中的值時(shí), LCR 表會(huì)顯示“信號(hào)源過(guò)載"警告。

表 11.

測(cè)試信號(hào)電壓 測(cè)試頻率 條件1

≤ 2 Vrms – –

> 2 Vrms ≤ 1 MHz 110 mA 或 130 mA - 0.0015 × Vac × (Fm / 1 MHz) ×

(L_cable + 0.5),取較小值

> 1 MHz 70 mA - 0.0015 × Vac × (Fm / 1 MHz) × (L_cable + 0.5)

Vac [V] 測(cè)試信號(hào)電壓

Fm [Hz] 測(cè)試頻率

L_cable [m] 線纜長(zhǎng)度

– 已進(jìn)行了開(kāi)路和短路校正。

– 偏置電流隔離:關(guān)閉

– 直流偏置電流不會(huì)超過(guò)每個(gè)直流偏置電流范圍內(nèi)的設(shè)定值

– 通過(guò)將被測(cè)器件的阻抗與有效測(cè)量范圍匹配,選擇最佳阻抗范圍。

|Z|、 |Y|、 L、 C、 R、 X、 G 和 B 精度(當(dāng) Dx ≤ 0.1 時(shí), L、 C、 X 和 B 精度適用;當(dāng) Qx ≤0.1 時(shí), R 和 G 精度適用)

當(dāng) Dx > 0.1 時(shí),用 Ae 乘以 √1+D2x ,得到 L、 C、 X 和 B 精度

當(dāng) Qx > 0.1 時(shí),用 Ae 乘以 √1+Q2x ,得到 R 和 G 精度

相對(duì)精度 Ae 按下式計(jì)算:

方程式 8: Ae = [Ab + Zs /|Zm| × 100 + Yo × |Zm| × 100 ] × Kt

Zm 被測(cè)器件阻抗

Ab 基本精度

Zs 短路偏置

Yo 開(kāi)路偏置

Kt 溫度系數(shù)

D 精度

當(dāng) Dx ≤ 0.1 時(shí), D 精度 De 按下式計(jì)算:

方程式 9: De = ±Ae/100

Dx 測(cè)得的 D 值

Ae |Z|、 |Y|、 L、 C、 R、 X、 G 和 B 的相對(duì)精度

當(dāng) 0.1 < Dx ≤ 1 時(shí),用 De 乘以 (1 + Dx)

Q 精度(當(dāng) Q x De < 1 時(shí))

Q 精度 Qe 按下式計(jì)算:

方程式 10: (Qx2 × De)

Qe = ± —————————————

(1± Qx × De)

Qx 測(cè)得的 Q 值

De 相對(duì) D 精度

q 精度

q 精度 θ e 按下式計(jì)算:

方程式 11: 180 × Ae

qe = (deg)

π × 100

Ae |Z|、 |Y|、 L、 C、 R、 X、 G 和 B 的相對(duì)精度

G 精度(當(dāng) Dx ≤ 0.1 時(shí))

G 精度 Ge 按下式計(jì)算:

方程式 12: Ge = Bx × De (S)

1

Bx = 2πfCx = ——————

2πfLx

Ge G 相對(duì)精度

Dx 測(cè)得的 D 值

Bx 測(cè)得的 B 值

De D 相對(duì)精度

f 測(cè)試頻率 (Hz)

Cx 測(cè)得的 C 值 (F)

Lx 測(cè)得的 L 值 (H)

Rp 精度(當(dāng) Dx ≤ 0.1 時(shí))

Rp 精度 Rpe 按下式計(jì)算:

方程式 13: Rpx × De (?)

Rpe = ± ———————————

Dx ± De

Rpe Rp 相對(duì)精度

Rpx 測(cè)得的 Rp 值 (?)

Dx 測(cè)得的 D 值

De D 的相對(duì)精度

Rs 精度(當(dāng) Dx ≤ 0.1 時(shí))

Rs 精度 Rse 按下式計(jì)算:

方程式 14: Rse = Xx × De (?)

1

Xx = —————–—= 2πfLx

2πfCx

Rse Rs 的相對(duì)精度

Dx 測(cè)得的 D 值

Xx 測(cè)得的 X 值 (?)

De D 的相對(duì)精度

f 測(cè)試頻率 (Hz)

Cx 測(cè)得的 C 值 (F)

Lx 測(cè)得的L 值 (H)


C-D 精度計(jì)算示例

測(cè)量條件

測(cè)試頻率: 1 kHz

測(cè)得的 C 值: 100 nF

測(cè)試信號(hào)電壓: 1 Vrms

測(cè)量時(shí)間模式: MED

測(cè)量溫度: 23°C

Ab = 0.05%

|Zm| = 1 / (2π × 1 × 103 × 100 × 10-9) = 1590 ?

Zs = 0.6 m? × (1 + 0.400/1) × (1 + √(1000/1000) = 1.68 m?

Yo = 0.5 nS × (1 + 0.100/1) × (1 + √(100/1000) = 0.72 nS

C 精度: Ae = [0.05 + 1.68 m/1590 × 100 + 0.72 n × 1590 × 100] × 1 = 0.05%

D 精度: De = 0.05/100 = 0.0005

基本精度

基本精度 Ab 可通過(guò)表 12、 13、 14、 15 獲得。

表 12. 測(cè)量時(shí)間模式 = SHORT

測(cè)試

頻率 [Hz]

測(cè)試信號(hào)電壓

5 mVrms ≤ -

< 50 mVrms

50 mVrms ≤ -

< 0.3 Vrms

0.3 Vrms ≤ -

1 Vrms

1 Vrms < -

≤ 10 Vrms

10 Vrms < -

≤ 20 Vrms

20 - 125 (0.6%) ×

(50 mVrms/Vs)

0.60% 0.30% 0.30% 0.30%

125 - 1 M (0.2%) ×

(50 mVrms/Vs)

0.20% 0.10% 0.15% 0.15%

1 M - 2 M (0.4%) ×

(50 mVrms/Vs)

0.40% 0.20% 0.30% 0.30%

表 13. 測(cè)量時(shí)間模式 = MED、 LONG

測(cè)試

頻率 [Hz]

測(cè)試信號(hào)電壓

5 mVrms ≤ -

< 30 mVrms

30 mVrms ≤ -

< 0.3 Vrms

0.3 Vrms ≤ -

≤ 1 Vrms

1 Vrms < -

≤ 10 Vrms

10 Vrms < -

≤ 20 Vrms

20 - 100 (0.25%) ×

(30 mVrms/Vs)

0.25% 0.10% 0.15% 0.15%

100 - 1 M (0.1%) ×

(30 mVrms/Vs)

0.10% 0.05% 0.10% 0.15%

1 M - 2 M (0.2%) ×

(30 mVrms/Vs)

0.20% 0.10% 0.20% 0.30%

Vs [Vrms] 測(cè)試信號(hào)電壓


被測(cè)器件阻抗的效應(yīng)

表 14. 被測(cè)器件阻抗低于 30 Ω 時(shí),添加以下值。

測(cè)試頻率 [Hz] 被測(cè)器件阻抗

1.08 Ω ≤ |Zx| < 30 Ω |Zx| < 1.08 Ω

20 - 1 M 0.05% 0.10%

1 M - 2 M 0.10% 0.20%

表 15. 被測(cè)器件阻抗高于 9.2 k Ω 時(shí),添加以下值。

測(cè)試頻率 [Hz] 被測(cè)器件的阻抗

9.2 kΩ < |Zx| ≤ 92 kΩ 92 kΩ < |Zx|

10 k - 100 k 0% 0.05%

100 k - 1 M 0.05% 0.05%

1 M - 2 M 0.10% 0.10%

電纜延長(zhǎng)的效應(yīng)

當(dāng)電纜延長(zhǎng)時(shí),每一米增加以下元素。

0.015 % × (Fm/1 MHz)2 × (L_cable)2

Fm [Hz] 測(cè)試頻率

L_cable [m] 電纜長(zhǎng)度

短路偏置 Zs

表 16. 被測(cè)器件阻抗 > 1.08 ?

測(cè)試

頻率 [Hz]

測(cè)量時(shí)間模式

SHORT MED、 LONG

20 - 2 M 2.5 m? × (1 + 0.400/Vs) ×

(1 + √(1000/Fm))

0.6 mΩ × (1 + 0.400/Vs) ×

(1 + √(1000/Fm))

表 17. 被測(cè)器件阻抗 ≤ 1.08 ?

測(cè)試

頻率 [Hz]

測(cè)量時(shí)間模式

SHORT MED、 LONG

20 - 2 M 1 m? × (1 + 1/Vs) × (1 + √(1000/Fm)) 0.2 m?× (1 + 1/Vs)× (1 + √(1000/Fm))

Vs [Vrms] 測(cè)試信號(hào)電壓

Fm [Hz] 測(cè)試頻率

電纜延長(zhǎng)的效應(yīng)(短路偏置)

表 18. 當(dāng)電纜延長(zhǎng)后, Zs 增加以下值(與測(cè)量時(shí)間模式無(wú)關(guān))。

測(cè)試

頻率 [Hz]

電纜長(zhǎng)度

0 米 1 米 2 米 4 米

20 - 1 M 0 0.25 m? 0.5 m? 1 m?

1 M - 2 M 0 1 m? 2 m? 4 m?

開(kāi)路偏置 Yo

表 19. 測(cè)試信號(hào)電壓 ≤ 2.0 Vrms

測(cè)試

頻率 [Hz]

測(cè)量時(shí)間模式

SHORT MED、 LONG

20 - 100 k 2 nS × (1 + 0.100/Vs) × (1 + √(100/Fm)) 0.5 nS × (1 + 0.100/Vs) × (1 + √(100/Fm))

100 k - 1 M 20 nS × (1 + 0.100/Vs) 5 nS × (1 + 0.100/Vs)

1 M - 2 M 40 nS × (1 + 0.100/Vs) 10 nS × (1 + 0.100/Vs)

表 20. 測(cè)試信號(hào)電壓 > 2.0 Vrms

測(cè)試

頻率 [Hz]

測(cè)量時(shí)間模式

SHORT MED、 LONG

20 - 100 k 2 nS × (1 + 2/Vs) × (1 + √(100/Fm)) 0.5 nS × (1 + 2/Vs) × (1 + √(100/Fm))

100 k - 1 M 20 nS × (1 + 2/Vs) 5 nS × (1 + 2/Vs)

1 M - 2 M 40 nS × (1 + 2/Vs) 10 nS × (1 + 2/Vs)

Vs [Vrms] 測(cè)試信號(hào)電壓

Fm [Hz] 測(cè)試頻率

說(shuō)明

由于剩余響應(yīng),在 40 至 70 kHz 和 80 至 100 kHz

范圍內(nèi),開(kāi)路偏置可能變大為原來(lái)的三倍。

電纜長(zhǎng)度的效應(yīng)

表 21. 當(dāng)電纜延長(zhǎng)后,用 Yo 乘以以下因數(shù)。

測(cè)試

頻率 [Hz]

電纜長(zhǎng)度

0 米 1 米 2 米 4 米


補(bǔ)償功能

表 28. E4980A 提供了三種補(bǔ)償功能:開(kāi)路補(bǔ)償、短路補(bǔ)償和負(fù)載補(bǔ)償。

補(bǔ)償類型 描述

開(kāi)路補(bǔ)償 補(bǔ)償測(cè)試夾具的雜散導(dǎo)納(C, G)導(dǎo)致的誤差。

短路補(bǔ)償 補(bǔ)償測(cè)試夾具的剩余阻抗(L, R)導(dǎo)致的誤差。

負(fù)載補(bǔ)償 補(bǔ)償用戶所需的測(cè)量條件下實(shí)際測(cè)量值與已知標(biāo)準(zhǔn)值之間的誤差。

列表掃描

點(diǎn)數(shù): 最大點(diǎn)數(shù)為 201 點(diǎn)。

第一個(gè)掃描參數(shù)(一次參數(shù)): 測(cè)試頻率、測(cè)試信號(hào)電壓、測(cè)試信號(hào)電流、直流偏置信號(hào)的測(cè)試信號(hào)電壓、直流偏置信號(hào)的測(cè)試信號(hào)電流、直流電源電壓。

第二個(gè)掃描參數(shù)(二次參數(shù)): 無(wú)、阻抗范圍、測(cè)試頻率、測(cè)試信號(hào)頻率、測(cè)試信號(hào)電壓、測(cè)試信號(hào)電流、直流偏置信號(hào)的測(cè)試信號(hào)電壓、直流偏置信號(hào)的測(cè)試信號(hào)電流、直流電源電壓

觸發(fā)模式

順序模式: 一旦觸發(fā) E4980A,它會(huì)在所有掃描點(diǎn)測(cè)量器件。 /EOM/INDEX 只輸出一次。

步進(jìn)模式: 每次觸發(fā) E4980A 時(shí),掃描點(diǎn)都會(huì)遞增。在每個(gè)點(diǎn)上都會(huì)輸出 /EOM/INDEX,但只有在最后一個(gè)/EOM 輸出后,列表掃描的比較器功能才會(huì)提供結(jié)果。

說(shuō)明

為兩個(gè)參數(shù)中的其中一個(gè)擇的參數(shù)無(wú)法再為另一個(gè)參數(shù)選中。無(wú)法設(shè)置測(cè)試信號(hào)電壓與測(cè)試信號(hào)電流組合,或直流偏置信號(hào)的測(cè)試信號(hào)電壓與直流偏置信號(hào)的測(cè)試信號(hào)電流組合之一。

二次參數(shù)只能通過(guò) SCPI 命令設(shè)置。


美國(guó)KEYSIGHT是德LCR電橋E4980A

列表掃描的比較器功能: 比較器功能支持為每個(gè)測(cè)量點(diǎn)設(shè)置一對(duì)上下限值。

您可以選擇: 通過(guò)第一個(gè)掃描參數(shù)進(jìn)行判斷/通過(guò)第二個(gè)參數(shù)進(jìn)行判斷/不用于每對(duì)

限值。

時(shí)間戳功能: 在順序模式下,可以將 FW 檢測(cè)到觸發(fā)信號(hào)的時(shí)間定義為 0,以記錄每個(gè)

測(cè)量點(diǎn)上的測(cè)量開(kāi)始時(shí)間,而后通過(guò) SCPI 命令獲取該時(shí)間。

比較器功能

Bin 排序: 一次參數(shù)可以排序?yàn)?9 個(gè) BIN、 OUT_OF_BINS、 AUX_BIN 和 LOW_C_

REJECT。二次參數(shù)排序?yàn)?HIGH、 IN 和 LOW。可以選擇順序模式和容限模式作為分類模式。

限值設(shè)置: 設(shè)置中可以使用絕對(duì)值、偏差值 和 % 偏差值。

BIN 計(jì)數(shù): 可從 0 記錄至 999999。

直流偏置信號(hào)

表 29. 測(cè)試信號(hào)電壓

范圍 0 V 至 +2 V

分辨率 僅限 0 V / 1.5 V / 2 V

精度 0.1% + 2 mV (23°C ± 5°C)

(0.1% + 2 mV) × 4

(0 至 18°C 或 28 至 55°C)

輸出阻抗: 100 ?(標(biāo)稱值)

輔助測(cè)量功能

數(shù)據(jù)緩存功能: 每個(gè)批次最多可以讀取 201 個(gè)測(cè)量結(jié)果。

保存/調(diào)用功能:

– 可以向內(nèi)置非易失性存儲(chǔ)器中寫入或從其中讀出最多 10 個(gè)設(shè)置條件。

– 可以向 USB 存儲(chǔ)器中寫入或從其中讀出最多 10 個(gè)設(shè)置條件。

– 在將設(shè)置條件寫入到 USB 存儲(chǔ)器的寄存器 10 時(shí),執(zhí)行自動(dòng)調(diào)用功能。

按鍵鎖定功能: 可以鎖定前面板按鍵。

GPIB: 引腳 D-Sub(D-24 型),陰頭;符合 IEEE488.1、 2 和 SCPI 標(biāo)準(zhǔn)

USB 主機(jī)端口: 通用串行總線插座, Type-A(4 個(gè)觸點(diǎn)位置,觸點(diǎn) 1 位于您的左側(cè)),

陰頭(僅限連接 USB 存儲(chǔ)器)。

USB 接口端口: 通用串行總線插座, Type Mini-B( 4 個(gè)觸點(diǎn)位置);符合 USBTMC-USB488 和 USB 2.0 標(biāo)準(zhǔn);陰頭;用于連接外部控制器。

USBTMC: USB 測(cè)試與測(cè)量分類的縮寫

LAN: 10/100 BaseT 以太網(wǎng), 8 個(gè)引腳(兩個(gè)速度選項(xiàng))

LXI 一致性: C 類(僅適用于固化軟件版本 A.02.00 或更高版本的設(shè)備)

說(shuō)明

可以使用以下 USB 存儲(chǔ)器。

符合 USB 1.1 標(biāo)準(zhǔn);大容量存儲(chǔ)器類別,

FAT16/FAT32 格式;最大消耗電流低于 500 mA。

推薦使用的 USB 存儲(chǔ)器: 4 GB USB 閃存

(Keysight PN 1819-0637)和 16GB USB 閃

存(Keysight PN 1819-1235)。

使用專門推薦 E4980A 使用的 USB 存儲(chǔ)器,

否則,以前保存的數(shù)據(jù)可能被清除。如果您沒(méi)

有使用推薦的 USB 存儲(chǔ)器,那么數(shù)據(jù)可能無(wú)

法正常保存或調(diào)用。

對(duì)于因使用 E4980A 導(dǎo)致的 USB 存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)丟失,是德科技不承擔(dān)責(zé)任。


當(dāng)直流偏置隔離設(shè)置為開(kāi)啟時(shí),開(kāi)路偏置 Yo 增加以下值。

方程式 20: Yo_DCI1 × (1 + 1/(Vs)) × (1 + √(500/Fm)) + Yo_DCI2

Zm [?] 被測(cè)器件阻抗

Fm [Hz] 測(cè)試頻率

Vs [V] 測(cè)試信號(hào)電壓

Yo_DCI1,2 [S] 利用表 61 和 62 計(jì)算此值

Idc [A] 直流偏置隔離電流

表 66. Yo_DCI1 值

直流偏置電流范圍 測(cè)量時(shí)間模式

SHORT MED、 LONG

20 µA 0 S 0 S

200 µA 0.25 nS 0.05 nS

2 mA 2.5 nS 0.5 nS

20 mA 25 nS 5 nS

100 mA 250 nS 50 nS

表 67. Yo_DCI2 值

直流偏置電流

范圍

測(cè)量時(shí)間模式

≤ 100 Ω 300 Ω, 1 k Ω 3 k Ω, 10 k Ω 30 k Ω, 100 k Ω

20 µA 0 S 0 S 0 S 0 S

200 µA 0 S 0 S 0 S 0 S

2 mA 0 S 0 S 0 S 3 nS

20 mA 0 S 0 S 30 nS 30 nS

100 mA 0 S 300 nS 300 nS 300 nS

直流偏置建立時(shí)間

當(dāng)直流偏置設(shè)置為開(kāi)啟時(shí),建立時(shí)間增加以下值:

表 68. 直流偏置建立時(shí)間

偏置 建立時(shí)間

1 標(biāo)配 被測(cè)器件電容 × 100 × loge (2/1.8 m) + 3 m

2 選件 001 被測(cè)器件電容 × 100 × loge (40/1.8 m) + 3 m

10 msec

100 msec

1 sec

10 sec

100 sec

1.

2.

1 µF 10 µF 100 µF 1 mF 10 mF 100 mF

被測(cè)器件電容

圖 建立時(shí)間

12. 直流偏置建立時(shí)間



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