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上海堅融實業有限公司
中級會員·13年您現在的位置： 上海堅融實業有限公司>>半導體I-V/C-V/I-R測試>> 吉時利KEITHLEY 4200A-SCS半導體參數分析儀
具體成交價以合同協議為準
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- 凌工
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- 地址：
- 上海市閔行區聯明路555號
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- www.jetyoo.com
- 網址：
- www.jetyoo.com
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產品簡介
| 產地類別 | 進口 | 價格區間 | 30萬-50萬 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 電子 |
產品介紹
專業儀器設備與測試方案供應商——上海堅融實業有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 堅友（上海）測量儀器有限公司JETYOO INSTRUMENTS，為原安捷倫Agilent技術工程師-堅JET和吉時利KEITHLEY應用工程師-融YOO于2011年共同創辦的以技術支持為特色的代理貿易公司，志在破舊立新！*進口儀器設備大多廠家僅在國內設銷售點，技術支持薄弱或者沒有，而代理經銷商也只專業做商務銷售，不專業做售前儀器設備選型配置/測試方案系統搭建，不專業做售后操作使用培訓/維修校準保養的空白。我們的技術銷售工程師均為本科以上學歷，且均有10年以上測試行業經驗，以我們*進*的經營理念，專業為祖國用戶提供儀器設備、測試方案、技術培訓、維修服務，為上海華東地區一家以技術為導向的儀器設備綜合服務商。
美國吉時利KEITHLEY 4200A-SCS半導體參數分析儀應用領域
使用4200A-SCS參數分析儀進行范德堡和霍爾電壓測量 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS和范德堡方法測量半導體材料的電阻系數。
使用4200A-SCS參數分析儀進行電荷泵測量 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS及選配的4225-PMU超快速I-V模塊(PMU)或4220-PGU脈沖發生器單元(PGU)進行電荷泵測量。
使用吉時利Model 4200-SCS參數分析儀進行晶圓級可靠性測試
使用4200A-SCS參數分析儀及斜率方法進行準靜態C-V測量 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS和斜率方法實現和優化準靜態C-V測量。
電阻系數測量及材料特性分析技術 - NEW
4200A-SCS 電阻系數測量及材料特性分析技術本材料特性分析應用指南提供了各種技術小貼士，根據材料類型、形狀和厚度及電阻幅度，為電阻系數測量選擇四點共線探頭或范德堡方法。
使用4200A-SCS參數分析儀分析MOS電容器的C-V特點
本應用指南討論了怎樣使用配備4210-CVU集成C-V選項的Keithley 4200A-SCS參數分析儀對MOS電容器進行C-V測量，另外還介紹了MOS管基本原理，對MOS電容器執行C-V測量，提取常用C-V參數，以及各種測量技術。
使用4200A-SCS參數分析儀在高阻抗器件上執行超低頻率電壓-電壓測量 - NEW
本應用指南介紹了VLF C-V技術，闡述了怎樣連接被測器件(DUT)，說明了怎樣使用提供的軟件，描述了怎樣使用Keithley 4200A-SCS參數分析儀優化VLF C-V測量。
測量通道有效移動性的超快速單脈沖(UFSP)技術 - NEW
本應用指南介紹了準確評估移動性的一種新型超快速單脈沖技術(UFSP) [4, 5]，同時介紹了怎樣連接器件，怎樣使用4200A-SCS參數分析儀中的Clarius軟件。
使用4200A-SCS參數分析儀優化低電流測量 -NEW
本應用指南介紹了吉時利為使用4200A-SCS優化低電流測量提供的著名的方法和推薦設備。
使用4200A-CVIV多開關和4200A-SCS參數分析儀在C-V測量和I-V測量之間切換 - NEW
本應用指南介紹了怎樣在同一器件上簡便地進行I-V測量和C-V測量，而無需改變電纜，避免引入錯誤或損壞器件。
使用Model 4225-RPM遠程放大器/開關，在DC I-V、C-V和脈沖式I-V測量之間自動切換 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4225-RPM在SMU、CVU和PMU之間切換，在單個器件上進行DC I-V、C-V和脈沖式I-V測量。特別是，它介紹了硬件連接及怎樣使用系統軟件Clarius配置和執行測試。
使用4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包及4200A-SCS參數分析儀執行高電壓和高電流C-V測量 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用Keithley 4200A-SCS、4210-CVU和4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包實現和優化高C-V測試。
半導體特性分析方法和技術 - NEW
4200A-SCS 半導體特性分析方法和技術應用指南本半導體特性分析應用指南提供了各種小貼士和技術，讓您了解DC半導體器件性能，幫助您應對可能阻礙測量及引入錯誤的各種挑戰。
元器件和半導體器件的DC I-V測試
本DC I-V測試應用電子指南包含著大量的應用指南，介紹了使用吉時利Model 4200-SCS參數分析儀進行DC IV-測試的方法和技巧。Model 4200-SCS提供了各種I-V測量，包括p*泄漏電流測量和µΩ級電阻測量。 應用指南 09 Nov 2018
使用4200A-SCS參數分析儀分析光伏材料和太陽能電池的電氣特點 - NEW
DC和脈沖式電流-電壓(I?V)、電容-電壓(C?V)、電容-頻率(C-f)、驅動電平電容曲線(DLCP)、四探頭電阻系列(ρ,σ)和霍爾電壓(VH)測量本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS參數分析儀在光伏電池上進行各種電氣測量，包括DC和脈沖式電流-電壓(I?V)、電容-電壓(C?V)、電容-頻率(C-f)、驅動電平電容曲線(DLCP)、四探頭電阻系列(ρ,σ)和霍爾電壓(VH)測量。
使用4200A-SCS參數分析儀和四點共線探頭測量半導體材料的電阻系數 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS及四點共線探頭對半導體材料進行電阻系數測量。
Touch, Test, Invent，采用下一代電流和電壓源測量儀器
吉時利為電化學測試方法和應用提供的儀器
本應用指南討論了如何采用吉時利儀器進行電化學科學研究。
非易失性內存的脈沖I-V特性分析技術 - NEW
本應用指南簡要回顧了非易失性內存(NVM)的發展歷史，概括介紹了分析NVM材料和器件電氣特點所需的測試參數，闡述了Model 4225-PMU超快速I-V模塊及Model 4225-RPM遠程放大器/開關的功能（這是為用于吉時利Model 4200-SCS半導體特性分析系統設計的兩種儀器選項）。
使用4200A-SCS參數分析儀測量碳納米管晶體管(CNT FETs)的電氣特點 - NEW
本應用指南介紹了怎樣使用4200A-SCS參數分析儀優化CNT FET上的DC、脈沖式I-V和C-V測量。它詳細介紹了在測試碳納米管晶體管時探頭布線和連接、保護、屏蔽、降噪技術及其他重要測量考慮因素。
*進半導體器件與材料特性分析系 統 – 4200-SCS 的技術進展
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統分析光伏材料和太陽能電池的電氣特點
尋找當今解決方案，迎接未來納米特性分析挑戰
吉時利正幫助推動越來越多的納米科技應用向前發展。我們為調查新材料和新器件屬性開發的解決方案是為直觀操作而設計的，因此您可以迅速簡便地獲得所需結果。 手冊 04 Feb 2017
吉時利脈沖解決方案
本指南旨在幫助您確定包括適合您應用要求的脈沖源的吉時利解決方案。
分析RF功率晶體管的電氣特點
本應用指南概括介紹了通信行業中較常用的RF晶體管的DC特性分析。盡管新型放大器設計和材料發展迅速，但必需指出的是，測試儀器變化并不大，而器件的特點卻發生了明顯變化。
利用4200-SCS進行四探頭電阻與霍爾電壓測試
評估MOSFET器件熱載波感應的劣化
本應用指南介紹了怎樣使用吉時利Model 4200-SCS半導體特性分析系統，利用所需的關鍵功能測量熱載波感應的劣化。
評估氧化物可靠性
本應用指南介紹了怎樣使用吉時利Model 4200-SCS半導體特性分析系統執行氧化物可靠性測試。
Model 4225-PMU超快速I-V模塊的超快速I-V應用
4225-PMU是為4200-SCS半導體特性分析系統提供的多個模塊之一。根據應用要求，系統可以配置成包括精密DC源測量單元系統、DC預放、多頻率C-V表和脈沖發生器，使得4200-SCS成為完整的全內置特性分析工具。 應用指南 08 Aug 2016
測量通道有效移動性的超快速單脈沖技術
本應用指南介紹了準確評估移動性的一種新型超快速單脈沖技術，包括技術原理、怎樣連接器件、以及怎樣使用Model 4200-SCS中提供的軟件
半導體元器件C-V測試 - 應用指南
本C-V測試應用電子指南包含大量的應用指南，介紹了使用吉時利Model 4200-SCS參數分析儀的C-V測試方法和技術。
元器件和半導體器件的脈沖式I-V測試 - 應用指南
本脈沖式I-V測試應用電子指南包括大量的應用指南，介紹了使用Model 4200-SCS參數分析儀進行脈沖式I-V測試的方法和技術。
ACS集成測試系統，實現基于實驗室的自動化操作
產品開發周期和測試成本壓力不斷提高，意味著測試工程師必須用更少的投入做更多的工作。通過采用吉時利經過驗證的儀器和測量功能，ACS綜合測試系統添補了基于交互式實驗室的工具與高吞吐量生產測試工具之間的重要空白。 應用指南 08 Aug 2016
探測集成電路觸點級晶體管
Model 4200-SCS半導體特性分析系統
使用Mode 4200-SCS半導體特性分析系統在高阻抗器件上執行超低頻電容-電壓測量
使用晶圓圖參數選項及Cascade Nucleus探頭軟件和Model 4200-SCS
使用低噪聲Model 4200-SCS進行超低電流測量
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統分析MOS電容器的C-V特點
使用Model 4200-CVU-PWR C-V功率分析軟件包及Model 4200-SCS半導體特性分析系統進行高電壓和高電流C-V測量
適用于Model 4200-SCS：分析NVM特性，測量VLF C-V，同時進行更多的脈沖式或超快速I-V測量
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統進行太陽能/光伏電池I-V和C-V測量
使用吉時利Model 4200-SCS監測MOSFET器件的通道熱載波(CHC)劣化
使用Model 4200-SCS和Zyvex S100納米操縱裝置進行納米線和納米管I-V測量
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統優化低電流測量
使用Model 4200分析柵極介電電容-電壓特性
使用4200-CVU電容-電壓單元測量電感
改善Model 4200-SCS的測試速度和整體測試時間
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統和Series 3400脈沖/碼型發生器進行電荷泵測量
使用Model 4200-SCS半導體特性分析系統執行電荷泵測量
修改吉時利互鎖電纜236-ILC-3，用于Cascade 12000系列半自動探頭
利用4200-SCS型參數分析儀，對碳納米管晶體管(CNT FET)進行電氣特性分析
親眼見證創新！ 4200A-SCS 是一種可以量身定制、全面集成 的參數分析儀，可以同步查看電流電壓(I-V)、電容電壓(C-V) 和超快速脈沖式I-V 特性。 4200A-SCS 加快了半導體、材料和工藝開發速度。
4200A-SCS ClariusTM 基于GUI 的軟件提供了清楚的、不折不 扣的測量和分析功能。憑借嵌入式測量專業知識和數百項隨時 可以投入使用的應用測試，Clarius Software 可以更深入地挖掘 研究過程，快速而又滿懷信心。
4200A-SCS 參數分析儀可以根據不同用戶需求進行靈活配 置，不管是現在還是未來，都可以隨時對系統進行升級。通過 4200A-SCS 參數分析儀，通往發現之路現在變得異常簡便。
美國吉時利KEITHLEY 4200A-SCS半導體參數分析儀主要性能指標
I-V 源測量單元(SMU)
± 210 V/100 mA 或 ± 210 V/1 A 模塊
100 fA測量分辨率
選配前端放大器提供了 10 aA測量分辨率
10 mHz - 10 Hz 超低頻率電容測量
四象限操作
2 線或 4 線連接
C-V 多頻率電容單元(CVU)
AC 阻抗測量 (C-V, C-f, C-t)
1 kHz - 10 MHz 頻率范圍
± 30 V (60 V差分)內置DC偏置源，可以擴展到± 210 V(420 V 差分)
選配 CVIV 多通道開關，在 I-V 測量和 C-V 測量之間簡便切換脈沖式I-V 超快速脈沖測量單元(PMU)
兩個獨立的或同步的高速脈沖 I-V 源和測量通道
200 MSa/s，5 ns 采樣率
±40 V (80 V p-p)，±800 mA
瞬態波形捕獲模式
任意波形發生器 Segment ARB® 模式，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率
高壓脈沖發生器單元(PGU)
兩個高速脈沖電壓源通道
±40 V (80 V p-p)，± 800 mA
任意波形發生器 Segment ARB®模式，支持多電平脈沖波形，10 ns 可編程分辨率I-V/C-V 多通道開關模塊 (CVIV)
在 I-V測量和 C-V 測量之間簡便切換，無需重新布線或抬起探針
把 C-V測量移動到任意端子，無需重新布線或抬起探針遠程前端放大器/ 開關模塊(RPM)
在 I-V 測量、C-V 測量和超快速脈沖 I-V 測量之間自動切換
把 4225-PMU的電流靈敏度擴展到數十皮安
降低電纜電容效應
為材料、半導體器件和工藝開發提供優秀的參數分析儀
使用強大的Clarius 軟件，可以更加快速的完成I-V, C-V 和脈沖I-V 測試，結果清晰明了
直流電流-電壓
(I-V) 范圍
10 aA - 1A
0.2 µV - 210 V
電容-電壓
(C-V) 范圍
1 kHz - 10 MHz
± 30V 直流偏置
脈沖 I-V
范圍
±40 V (80 V p-p)，±800 mA
200 MSa/s，5 ns 采樣率
大膽發現從未如此容易。 4200A-SCS 參數分析儀可將檢定和測試設置的復雜程度降低高達 50%，提供清晰且不折不扣的測量和分析功能。 另外，嵌入式測量專業知識可提供測試指南并讓您對結果充滿信心。
特點
內置測量視頻采用英語、中文、日語和韓語
使用數百個用戶可修改應用測試開始您的測試
自動實時參數提取、數據繪圖、算數函數
測量、 切換、 重復。
4200A-CVIV 多通道切換模塊自動在 I-V 和 C-V 測量之間切換，無需重新布線或抬起探頭端部。 與競爭產品不同，四通道 4200A-CVIV 顯示器提供本地可視查看，可快速完成測試設置，并在出現意想不到的結果時輕松排除故障。
無需重新布線即可將 C-V 測量移動到任何設備終端
用戶可配置低電流功能
個性化輸出通道名稱
查看實時測試狀態
檢定、 自定義、 大化。
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簡單地說，4200A-SCS 可以*自定義且全面升級，您可以對半導體設備、新材料、有源/無源組件、晶片級可靠性、故障分析、電化學或幾乎任何類型的樣本執行電氣檢定和評估。
NBTI/PBTI 測試
隨機電報噪聲
非易失內存設備
穩壓器應用測試
帶分析探測器和低溫控制器的集成解決方案。
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4200A-SCS 參數分析儀支持許多手動和半自動晶片探測器和低溫控制器，包括 Cascade MicroTech、Lucas Labs/Signatone、MicroManipulator、Wentworth Laboratories、LakeShore Model 336 低溫控制器。
“點擊”測試定序
“手動”探測器模式測試探測器功能
假探測器模式無需移除命令即可實現調試
降低成本并保護您的投資
產品技術資料 型號 說明
查看規格書 4200A-SCS-PK1
高分辨率 IV 套件 210V/100mA，0.1 fA 分辨率
對于兩端和三端設備，MOSFET、CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK1 包括：
4200A-SCS 參數分析儀
(2) 4200-SMU 模塊
(1) 4200-PA 前置放大器
(1) 8101-PIV 測試夾具與采樣設備
4200A-SCS-PK2
高分辨率 IV 和 CV 套件 210V/100mA，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz
對于高 K 電解質，深亞微米 CMOS 檢定套件 4200A-SCS-PK2 包括：
4200A-SCS 參數分析儀
(2) 4200-SMU 模塊
(1) 4200-PA 前置放大器
(1) 4210-CVU 電容-電壓模塊
(1) 8101-PIV 測試夾具與采樣設備
4200A-SCS-PK3
高分辨率和高功率 IV 和 CV 套件 210V/1A，0.1 fA 分辨率，1kHz - 10MHz
對于功率設備、高 K 電解質，深亞微米 CMOS 設備檢定套件 4200A-SCS-PK3 包括：
4200A-SCS 參數分析儀
(2) 4200-SMU 模塊
(2) 4210-SMU
(2) 4200-PA 前置放大器
(1) 4210-CVU 電容-電壓模塊
(1) 8101-PIV 測試夾具與采樣設備
4200-BTI-A
超快 NBTI/PBTI 套件 用于使用* CMOS 技術套件進行復雜的 NBTI 和 PBTI 測量 4200-BTI-A 包括：
(1) 4225-PMU 超快 I-V 模塊
(2) 4225-RPM 遠程前置放大器/開關模塊
自動化檢定套件 (ACS) 軟件
超快 BTI 測試項目模塊
電纜
半導體可靠性
在執行復雜的可靠性測試時，4200A-SCS 可以幫您處理復雜的編碼工作。 內含熱載波注入劣化 (HCI) 等項目，使您能夠快速開始設備分析。
評估 MOSFET 設備的熱載波感應劣化
特點
只需一組測試，即可滿足您的直流 I-V、C-V 和脈沖測量需求
支持多種探頭站和外部儀器
循環系統易于使用，允許在無需編碼的情況下重復測試
提供適合高阻抗應用的 C-V 測量功能
采用 Keithley 的自定義極低頻 C-V 技術分析高電阻樣本的電容。 該技術可通過僅使用源測量單元 (SMU) 儀器實現應用，同時可與 4210-CVU 結合使用，執行更高頻率測量。
4200A-SCS 參數分析儀可在高阻抗設備上執行極低頻電容-電壓測量
簡化 MOSFET/MOSCAP 設備檢定的提示和技術
0.01 ~ 10 Hz 頻率范圍，1 pF ~ 10 nF 靈敏度
3½ 位典型分辨率，小典型值 10 fF
非易失內存
通過全面脈沖 I-V 檢定在測試中利用新技術。 4200A-SCS 為 NVRAM 技術提供支持和即用型測試，從浮動門電路閃存到 ReRAM 和 FeRAM，不一而足。 電流和電壓雙源和測量功能同時支持瞬態和 I-V 域檢定。
非易失內存技術脈沖 I-V 檢定
VCSEL 測試
4200A-SCS 中的多個并行源測量單元 (SMU) 儀器可簡化激光二極管測試。 僅使用一臺機器連接即可生成 LIV（光強-電流-電壓）曲線。 高級探頭站和開關支持使您能夠使用相同的儀器對單個二極管或整個陣列進行晶圓生產測試。 SMU 可配置為高達 21 W 容量，適用于多種連續波 (CW) VCSEL 應用。
納米級設備檢定
4200A-SCS 的集成儀器功能可簡化碳納米管等納米級電子器件開發方面的測量要求。 從預配置測試項目開始著手，逐步擴大您的研究工作范圍。 SMU 的脈沖源模式可幫助緩解過熱問題，數秒內即可完成與低電壓 C-V 和超快速脈沖直流測量的組合。
碳納米管晶體管 (CNT FET) 的電氣檢定
材料電阻率
使用集成了 SMU 的 4200A-SCS，可通過四點同軸探頭或范德堡法輕松測量電阻率。內含測試可自動重復執行范德堡計算，節省您寶貴的研究時間。10aA 的大電流分辨率和大于 1016 歐姆的輸入阻抗可提供更準確和精準的結果。
4200A-SCS 參數分析儀和四點同軸探頭可用于執行半導體材料電阻率測量
4200A-SCS 參數分析儀可用于執行范德堡和霍爾電壓測量
MOSFET 檢定
4200A-SCS 可容納所有必要的儀器，用于通過組件或晶圓測試執行全面的 MOS 設備檢定。 內含測試和項目可以解決 MOSCap 的氧化物厚度、門限電壓、摻雜濃度、移動離子濃度等問題。 只需觸摸一個儀器盒中的按鈕，即可運行所有這些測試。
4200A-SCS 參數分析儀可用于執行 MOS 電容 C?V 檢定
模塊 說明
4200-BTI-A 超快速 BTI 包
4200-PA 遠程預放大器模塊
4200-SMU 中功率源測量單位
4200A-CVIV I-V/C-V 多開關模塊
4210-CVU 電容-電壓單位
4210-SMU 大功率源測量單元
4220-PGU 高電壓脈沖發生器單元
4225-PMU 超快速脈沖測量單位
4225-RPM 遠程預放大器/開關模塊
4200-SMU-R 可現場更換的 MPSMU
4210-SMU-R 可現場更換的 HPSMU
