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基礎電漿研究。

III-V族化合物半導體蝕刻（GaAsn，InP，GaN）。

Si，SiO2，SiNx 蝕刻。

微機電系統。

金屬與矽的蝕刻。

陽極電鍍處理鋁腔。

通過使用水冷系統、加熱器或加熱包來控制腔體溫度。

客製化的基板尺寸，最大直徑可達12寸晶圓。

單載片或多載片。

優異的薄膜均勻度小於±5％。

精準流量控制器，氣體分佈高度均勻，最多可容納6條氣體管線。

穩定的溫度控制，將載盤加熱至400°C或冷卻至-20°C。

渦輪分子幫浦。

蝕刻終點偵測（OES，激光）相容性。