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PECVD等離子沉積設備 參考價:面議
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等離子沉積設備低刻蝕速率,高擊穿電壓,低應力、不損傷襯底以及在低于100°C的沉積溫度下的低界面態密度,使得所沉積的薄膜具有優異的性能。