輸入電源 | - 220VAC 50/60Hz, 單相
- 800W (包括真空泵）
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等離子源 | - 一個100W，13.5MHz的射頻電源安裝在移動柜內
- 配有一13.5MHz,100W的射頻電源（采用手動匹配）
- 可選配300W射頻電源（自動匹配）
- 注意：100W手動調節的RF（射頻）電源價格較低，但是每一次對于不同的靶材，都需要手動設置參數才能產生等離子體，比較耗費時間。300W自動匹配的RF（射頻）電源，價格較昂貴，但比較節約時間。
 （點擊圖片查看詳細資料）
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磁控濺射頭 | - 一個1英寸磁控濺射頭（帶有水冷夾層），采用快速接頭與真空腔體相連接
- 靶材尺寸: 直徑為25.4mm,zui大厚度3mm
- 一個快速擋板安裝在法蘭上（手動操作，見圖左3）
- 濺射頭所需冷卻水：流速10ml/min（儀器中配有一臺流速為16ml/min的循環水冷機）
- 同時可選配2英寸濺射頭
- 選配2英寸濺射頭靶材尺寸：直徑為50.8mm，zui大厚度6mm
   
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真空腔體 | - 真空腔體：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高純石英制作
- 密封法蘭:直徑為165 mm . 采用金屬鋁制作，采用硅膠密封圈密封
- 一個不銹鋼網罩住整個石英腔體，以屏蔽等離子體
- 真空度：<1.0*10-2 Torr （采用雙極旋片真空泵）
- <5*10-5 torr （采渦旋分子泵）
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載樣臺 | - 載樣臺可旋轉（為了制膜更加均勻）并可加熱
- 載樣臺尺寸：直徑50mm （zui大可放置2英寸的基片）
- 旋轉速度：1 - 20 rpm
- 樣品臺的zui高加熱溫度為700℃(短期使用，恒溫不超過1小時)，長期使用溫度500℃
- 控溫精度+/- 10℃
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真空泵 | 可選用直聯式雙極旋片泵,也可選用德國制作的分子泵系統   |
薄膜測厚儀 | - 一個精密的石英振動薄膜測厚儀安裝在儀器上，可實時監測薄膜的厚度，分辨率為0.10 ?
- LED顯示屏顯示，同時也輸入所制作薄膜的相關數據
 
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質保和質量認證 | |
使用注意事項 | - 這款1英寸的射頻濺射鍍膜儀主要是用于在單晶基片上制備氧化物膜，所以并不需要太高的真空度
- 為了較好地排出真空腔體中的氧氣，建議用5%H2+95 %N2對真空腔體清洗2-3次，可有效減少真空腔體中的氧含量
- 請用純度大于5N的Ar來進行等離子濺射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建議將鋼瓶中的惰性氣體通過凈化系統過后，再導入到真空腔體內
 
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