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美國(guó)PIE Scientific專(zhuān)注研發(fā)*實(shí)驗(yàn)室用等離子儀器，用于SEM/TEM樣品清潔、光刻膠蝕刻、等離子體增強(qiáng)沉積、表面處理與活化。我們的宗旨是：將半導(dǎo)體和核工程研究中開(kāi)發(fā)的等離子技術(shù)集成到經(jīng)濟(jì)實(shí)用的實(shí)驗(yàn)室用等離子儀器。

污染物對(duì)電子顯微鏡SEM/TEM和其它高真空系統(tǒng)產(chǎn)生的影響

潤(rùn)滑劑、真空脂、泵油樣品中的高分子聚合物，或未經(jīng)處理的空氣都會(huì)把碳?xì)湮廴疚镆秸婵障到y(tǒng)中。低蒸汽壓下高分子重污染物會(huì)凝聚在樣品表面和腔室壁上，而使用普通氣體吹掃方法很難把碳?xì)湮廴疚锴宄?/span>

電子和高能光子(EUV, X-ray)能夠分解存在于真空系統(tǒng)中或樣品上的碳?xì)湮廴疚铩Ｌ細(xì)浠衔锏姆纸猱a(chǎn)物沉積在被觀測(cè)的樣品表面或電子光學(xué)部件上。這種碳?xì)湮廴境练e會(huì)降低EUV的鏡面反射率，降低SEM圖像對(duì)比度和分辨率，造成錯(cuò)誤的表面分析結(jié)果，沉積在光闌或其它電子組件的不導(dǎo)電碳?xì)湮廴疚锷踔習(xí)斐呻娮邮恢没蚓劢咕徛啤Ｔ?/span>ALD系統(tǒng)中，樣品表面的碳?xì)湮廴疚镞€會(huì)降低薄膜的界面匹配質(zhì)量。

特點(diǎn)：

1. 系統(tǒng)具有雙等離子源。浸入式等離子源用于主動(dòng)表面處理、光刻膠蝕刻。遠(yuǎn)程式等離子源用于溫和的污染清除以及脆弱易損樣品的表面活化

2. 13.56MHz高頻射頻發(fā)生器

3. 7英寸觸摸屏控制界面，全自動(dòng)操作

4. 標(biāo)配75W版本，可選150W版本

5. 標(biāo)配2路氣體輸入，可選第三路氣體輸入

6. 可選與FEI、JEOL、HITACHI等TEM樣品桿配套的適配器

7. AC輸入：通用(110~230V, 50/60Hz)

除了Tergeo EM型SEM & TEM樣品清潔等離子清潔儀，另有Tergeo Basic基本型等離子清潔儀和Tergeo Plus型大腔室等離子清潔儀

三、技術(shù)參數(shù)

1、控制系統(tǒng)

1）操作界面：7英寸電阻觸摸屏操作界面，支持多種工作方式。

2）程序控制：可編程，總共有20個(gè)程序，每個(gè)程序有3個(gè)清潔步驟

2、反應(yīng)腔體

1）腔體材質(zhì)：圓柱形石英玻璃艙。

2）腔體尺寸：內(nèi)徑110毫米，外徑120毫米，深度280毫米，壁厚：5毫米。

3）前觀測(cè)窗：前方開(kāi)口，5毫米厚石英玻璃可視窗口，可觀測(cè)內(nèi)腔等離子狀態(tài)，并帶有防真空泄漏和避免高壓的聯(lián)鎖裝置，有效保護(hù)操作的安全性；

3、射頻電源

1）射頻頻率：13.56MHz

2）射頻功率：標(biāo)配0~75W；可選配0~150W。從0瓦到150瓦之間以1瓦間距連續(xù)可調(diào)，自動(dòng)阻抗匹配。

3）射頻輸出可以工作在脈沖方式，脈沖比可以從1/255調(diào)到255/255（連續(xù)輸出）。

4、等離子源

1）等離子強(qiáng)度探測(cè)器實(shí)時(shí)測(cè)量等離子源強(qiáng)度。

2）電阻耦合電離方式。

3）外置電極設(shè)計(jì)，高壓電極不合等離子接觸以避免金屬濺射造成的樣品污染。

5、氣體控制

1）氣路控制：標(biāo)配一路MFC；可選配三路MFC；

2）質(zhì)量流量計(jì)可以在0~100sccm之間控制氣體流量；

3）一路(Venting and purging)氣體入口用來(lái)快速給樣品室放氣和沖走殘余處理氣體。

4）自動(dòng)放氣流程控制可以保護(hù)真空泵不受影響。

5）高性能氣壓計(jì)可以測(cè)量1e-4 Torr到大氣壓之間的氣壓。

6）6mm氣體接口。

6、真空系統(tǒng)

1）KF25法蘭接口用來(lái)連接真空泵。

2）真空要求：抽速：>1.7m3/h；

3）低氣壓：<=200mTorr.