EVG單面/雙面掩模對準光刻機介紹：

EVG®610(單面/雙面掩模對準光刻機 微流控 納米壓印??)是一款緊湊型多功能研發系統，可處理零碎片和大200 mm的晶圓。

EVG610（單面/雙面掩模對準光刻機 微流控 納米壓印）支持各種標準光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對準方式。此外，該系統還提供其他功能，包括鍵合對準和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿足不斷變化的用戶需求，轉換時間不到幾分鐘。其先進的多用戶概念適合初學者到專家級各個階層用戶，非常適合大學和研發應用。

應用：

MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導體等方面的圖形光刻應用。

EVG單面/雙面掩模對準光刻機特征

1、晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸

2、頂部和底部對準功能

3、高精度對準

4、自動楔形補償序列

5、電動的和程序控制的曝光間隙

6、支持先進的UV-LED技術

7、小化系統占地面積和設施要求

8、分步流程指引

9、遠程技術支持

10、多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同語言）

11、敏捷的處理和轉換重新加工

12、臺式或獨立式帶防振花崗巖臺面

附加功能：

1.鍵合對準

2.紅外對準

3.納米壓印光刻（NIL）

【技術參數】

1.掩模版-基板-晶圓尺寸

掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸

基片/晶圓尺寸：100mm/150mm/200mm

晶圓厚度：高達10mm

2.對準模式

頂部對準精度：≤ ± 0,5 µm

底部對準精度：≤ ± 2,0 µm

紅外對準模式：≤ ± 2,0 µm/取決于基片的材料

3.頂部顯微鏡

移動范圍1：100mm（X軸：32-100mm；Y軸：-50/+30mm；）

移動范圍2：150mm（X軸：32-150mm；Y軸：-75/+30mm；）

移動范圍1：200mm（X軸：32-200mm；Y軸：-100/+30mm；）

可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環形燈的暗場物鏡，可以增加對比度

4.底部顯微鏡

移動范圍1：100mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

移動范圍2：150mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

移動范圍1：200mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環形燈的暗場物鏡，可以增加對比度

5.曝光器件

（1）波長范圍：

NUV：350 - 450 nm

DUV：低至200 nm (可選)

（2）光源：

汞燈350W , 500W UV LED燈

（3）均勻性：

150mm：≤ 3%

200mm：≤ 4%

（4）濾光片：

汞燈：機械式

UV LED：軟件可調

6.曝光模式

接觸：硬、軟接觸，真空

曝光間隙：1 - 1000 µm

線寬精度：1µm

模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

可選：內部，浸入，扇形

7.可選功能

鍵合對準精度：≤ ± 2,0 µm

納米壓抑光刻（NIL）精度：≤ ± 2,0 µm

納米壓抑光刻（NIL）軟印章分辨率：≤ 50 nm圖形分辨率

8.設施

真空：< 150 mbar

壓縮氣體：6 bar

氮氣：可選2或者6 bar

排氣要求：汞燈需要；LED不需要

9.系統方式

系統：windows

文件分享和軟件備份

無限程序儲存，參數儲存在程序內

支持多語言，含中文

實時遠程支持，診斷和排除故障

10.楔形補償

全自動- 軟件控制

11.規格（單面/雙面光刻機 微流控加工 掩模對準）

占地面積：0.55m²

高度：1.01m

重量：約250kg

納米壓印分辨率：≤ 40 nm（取決于模板和工藝）

支持工藝：Soft UV-NIL