| 價格區間 | 面議 | 應用領域 | 電子,電氣,綜合 |
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外延是半導體工藝當中的一種。在bipolar工藝中，硅片最底層是P型襯底硅（有的加點埋層）；然后在襯底上生長一層單晶硅，這層單晶硅稱為外延層；再后來在外延層上注入基區、發射區等等。最后基本形成縱向NPN管結構：外延層在其中是集電區，外延上面有基區和發射區。外延片就是在襯底上做好外延層的硅片。因有些廠只做外延之后的工藝生產，所以他們買別人做好外延工藝的外延片來接著做后續工藝。
半導體制造商主要用拋光Si片（PW）和外延Si片作為IC的原材料。20世紀80年代早期開始使用外延片，它具有標準PW所不具有的某些電學特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。
外延片是由Si片制造商生產并自用，在IC中用量不大，它需要在單晶Si片表面上沉積一薄的單晶Si層。一般外延層的厚度為2～20μm，而襯底Si厚度為610μm（150mm直徑片）和725μm （200mm片）。
外延沉積既可（同時）一次加工多片，也可加工單片。單片反應器可生產出的外延層（厚度、電阻率均勻性好、缺陷少）；這種外延片用于150mm“前沿”產品和所有重要200 mm產品的生產。
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