氧化鎵是一種無機化合物，化學式為Ga2O3。別名三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV，其導電性能和發光特性長期以來一直引起人們的注意。Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器，
Ga2O3 有五種同分異構體：α，β，γ，δ，ε，其中是β-異構體，當加熱至1000℃以上或水熱條件（即濕法）加熱至300℃以上時，所有其他的異構體都被轉換為β-異構體。可采用各自不同的方法制得各種純的異構體。
把金屬鎵在空氣中加熱至420～440℃；焙燒硝酸鹽使之分解或加熱氫氧化鎵至500℃等都可制得α-Ga2O3。
快速加熱氫氧化物凝膠至400～500℃可值得γ-Ga2O3，γ-Ga2O3具有缺陷的尖晶石結構。
在250℃加熱硝酸鎵然后在約200℃浸潰12小時，可制得δ-Ga2O3，它類似于In2O3、Tl2O3、Mn2O3和Ln2O3的C-結構。
在550℃短暫加熱（約30分鐘）δ-Ga2O3可制得ε-Ga2O3。
將硝酸鹽、醋酸鹽、草酸鹽或其他鎵的化合物以及Ga2O3的任意其他異構體加熱至1000℃以上均可分解或轉化為β-Ga2O3。
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