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碳化硅電阻率方阻測(cè)試儀

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碳化硅電阻率渦流法方阻四探針

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公司成立于2021年,是一家注冊(cè)在蘇州、具備技術(shù)的非接觸式半導(dǎo)體檢測(cè)分析設(shè)備制造商。公司集研發(fā)、設(shè)計(jì)、制造、銷售于一體,主要攻克國(guó)外壟斷技術(shù),替代進(jìn)口產(chǎn)品,使半導(dǎo)體材料測(cè)試設(shè)備國(guó)產(chǎn)化。

主要產(chǎn)品:非接觸式無(wú)損方塊電阻測(cè)試儀、晶圓方阻測(cè)試儀、方阻測(cè)試儀、硅片電阻率測(cè)試儀、渦流法高低電阻率分析儀、晶錠電阻率分析儀、渦流法電阻率探頭和PN探頭測(cè)試儀、遷移率(霍爾)測(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀,晶圓、硅片厚度測(cè)試儀、表面光電壓儀JPV\SPV、汞CV、ECV。碳化硅、硅片、氮化鎵、襯底和外延廠商提供測(cè)試和解決方案

憑借*的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),申請(qǐng)各項(xiàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)20余項(xiàng),已發(fā)展成為中國(guó)大陸少數(shù)具有一定國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商,產(chǎn)品得到眾多國(guó)內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可,并取得良好的市場(chǎng)口碑。





晶圓電阻率測(cè)試儀,硅片電阻率測(cè)試儀,渦流法低電阻率分析儀,晶錠電阻率分析儀,遷移率測(cè)試儀,少子壽命測(cè)試儀

價(jià)格區(qū)間 面議 應(yīng)用領(lǐng)域 電子,電氣,綜合
自動(dòng)化度 半自動(dòng)

1、電阻率ρ不僅和導(dǎo)體的材料有關(guān),還和導(dǎo)體的溫度有關(guān)。在溫度變化不大的范圍內(nèi):幾乎所有金屬的電阻率隨溫度作線性變化,即ρ=ρ0(1+at)。式中t是攝氏溫度,ρ0是O℃時(shí)的電阻率,a是電阻率溫度系數(shù)。

2、由于電阻率隨溫度改變而改變,所以對(duì)于某些電器的電阻,必須說(shuō)明它們所處的物理狀態(tài)。如一個(gè)220 V -100 W電燈燈絲的電阻,通電時(shí)是484歐姆,未通電時(shí)只有40歐姆左右。

3、電阻率和電阻是兩個(gè)不同的概念。電阻率是反映物質(zhì)對(duì)電流阻礙作用的屬性,電阻是反映物體對(duì)電流阻礙作用的屬性。

電阻率(resistivity)是用來(lái)表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。

在溫度一定的情況下,有公式R=ρl/S,其中ρ就是電阻率,l為材料的長(zhǎng)度,S為面積??梢钥闯?,材料的電阻大小與材料的長(zhǎng)度成正比,而與其截面積成反比。

由上式可知電阻率的定義式:ρ=RS/l,國(guó)際單位制中,電阻率的單位是歐姆·米(Ω·m),常用單位是歐姆·毫米、歐姆·米。





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