晶體管特性圖示儀的使用
晶體管測量儀器是以通用電子測量儀器為技術基礎,以半導體器件為測量對象的電子儀器。用它可以測試晶體三極管(NPN型和PNP型)的共發射極、共基極電路的輸入特性、輸出特性;測試各種反向飽和電流和擊穿電壓,還可以測量場效管、穩壓管、二極管、單結晶體管、可控硅等器件的各種參數。下面以XJ4810型晶體特性圖示儀為例介紹晶體管圖示儀的使用方法。
7.1 XJ4810型晶體管特性圖示儀面板功能介紹
XJ4810型晶體管特性圖示儀面板如圖A-23所示:
1. 集電極電源極性按鈕,極性可按面板指示選擇。
2. 集電極峰值電壓保險絲:
3. 峰值電壓%:峰值電壓可在0~10V、0~50V、0~100V、0~500V之連續可調,面板上的標稱值是近似值,參考用。
4. 功耗限制電阻:它是串聯在被測管的集電極電路中,限制超過功耗,亦可作為被測半導體管集電極的負載電阻。
5. 峰值電壓范圍:分0~10V/
AC擋的設置專為二極管或其他元件的測試提供雙向掃描,以便能同時顯示器件正反向的特性曲線。
6. 電容平衡:由于集電極電流輸出端對地存在各種雜散電容,都將形成電容性電流,因而在電流取樣電阻上產生電壓降,造成測量誤差。為了盡量減小電容性電流,測試前應調節電容平衡,使容性電流減至zui小。
7. 輔助電容平衡:是針對集電極變壓器次級繞組對地電容的不對稱,而再次進行電容平衡調節。
8. 電源開關及輝度調節:旋鈕拉出,接通儀器電源,旋轉旋鈕可以改變示波管光點亮度。
9. 電源指示:接通電源時燈亮。
10. 聚焦旋鈕:調節旋鈕可使光跡zui清晰。
11. 熒光屏幕:示波管屏幕,外有座標刻度片。
12. 輔助聚焦:與聚焦旋鈕配合使用。
13. Y軸選擇(電流/度)開關:具有22擋四種偏轉作用的開關。可以進行集電極電流、基極電壓、基極電流和外接的不同轉換。
14. 電流/度×0.1倍率指示燈:燈亮時,儀器進入電流/度×0.1倍工作狀態。
15. 垂直移位及電流/度倍率開關:調節跡線在垂直方向的移位。旋鈕拉出,放大器增益擴大10倍,電流/度各擋IC標值×0.1,同時指示燈14亮.
16. Y軸增益:校正Y軸增益。
17. X軸增益:校正X軸增益。
18.顯示開關:分轉換、接地、校準三擋,其作用是:
⑴轉換:使圖像在Ⅰ、Ⅲ象限內相互轉換,便于由NPN管轉測PNP管時簡化測試操作。
⑵接地:放大器輸入接地,表示輸入為零的基準點。
⑶校準:按下校準鍵,光點在X、Y軸方向移動的距離剛好為10度,以達到10度校正目的。
19. X軸移位:調節光跡在水平方向的移位。
20. X軸選擇(電壓/度)開關:可以進行集電極電壓、基極電流、基極電壓和外接四種功能的轉換,共17擋。
21. “級/簇”調節:在0~10的范圍內可連續調節階梯信號的級數。
22. 調零旋鈕 :測試前,應首先調整階梯信號的起始級零電平的位置。當熒光屏上已觀察到基極階梯信號后,按下測試臺上選擇按鍵“零電壓”,觀察光點停留在熒光屏上的位置,復位后調節零旋鈕,使階梯信號的起始級光點仍在該處,這樣階梯信號的零電位即被準確校正。
23. 階梯信號選擇開關:可以調節每級電流大小注入被測管的基極,作為測試各種特性曲線的基極信號源,共22擋。一般選用基極電流/級,當測試場效應管時選用基極源電壓/級。
24. 串聯電阻開關:當階梯信號選擇開關置于電壓/級的位置時,串聯電阻將串聯在被測管的輸入電路中。
25. 重復--關按鍵:彈出為重復,階梯信號重復出現;按下為關,階梯信號處于待觸發狀態。
26. 階梯信號待觸發指示燈:重復按鍵按下時燈亮,階梯信號進入待觸發狀態。
27. 單簇按鍵開關:單簇的按動其作用是使預先調整好的電壓(電流)/級,出現一次階梯信號后回到等待觸發位置,因此可利用它瞬間作用的特性來觀察被測管的各種極限特性。
28. 極性按鍵:極性的選擇取決于被測管的特性。
29. 測試臺:其結構如圖A-24所示。
30. 測試選擇按鍵:
⑴“左”、“右”、“二簇”:可以在測試時任選左右兩個被測管的特性,當置于“二簇”時,即通過電子開關自動地交替顯示左右二簇特性曲線,此時“級/簇”應置適當位置,以利于觀察。二簇特性曲線比較時,請不要誤按單簇按鍵。
⑵“零電壓”鍵:按下此鍵用于調整階梯信號的起始級在零電平的位置,見(22)項。
⑶“零電流”鍵:按下此鍵時被測管的基極處于開路狀態,即能測量ICEO特性。
31、32. 左右測試插孔:插上插座(隨機附件),可測試F1、F2型管座的功率晶體管。
33、34、35.晶體管測試插座。
36. 二極管反向漏電流插孔(接地端)。
在儀器右側板上分布有圖A-25所示的旋鈕和端子:
37. 二簇移位旋鈕:在二簇顯示時,可改變右簇曲線的位置,更方便于配對晶體管各種參數的比較。
38. Y軸信號輸入:Y軸選擇開關置外接時,Y軸信號由此插座輸入。
39. X軸信號輸入:X軸選擇開關置外接時,X軸信號由此插座輸入。
40. 校準信號輸出端:1V、0.5V校準信號由此二孔輸出。
7.2測試前注意事項
為保證儀器的合理使用,既不損壞被測晶體管,也不損壞儀器內部線路,在使用儀器前應注意下列事項:
1. 對被測管的主要直流參數應有一個大概的了解和估計,特別要了解被測管的集電極zui大允許耗散功率PCM、zui大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。
2. 選擇好掃描和階梯信號的極性,以適應不同管型和測試項目的需要。
3. 根據所測參數或被測管允許的集電極電壓,選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下,應先將峰值電壓調至零,更改掃描電壓范圍時,也應先將峰值電壓調至零。選擇一定的功耗電阻,測試反向特性時,功耗電阻要選大一些,同時將X、Y偏轉開關置于合適擋位。測試時掃描電壓應從零逐步調節到需要值。
4. 對被測管進行必要的估算,以選擇合適的階梯電流或階梯電壓,一般宜先小一點,再根據需要逐步加大。測試時不應超過被測管的集電極zui大允許功耗。
5. 在進行ICM的測試時,一般采用單簇為宜,以免損壞被測管。
6. 在進行IC或ICM的測試中,應根據集電極電壓的實際情況選擇,不應超過本儀器規定的zui大電流,見表A-3。
表A-3 zui大電流對照表
7. 進行高壓測試時,應特別注意安全,電壓應從零逐步調節到需要值。觀察完畢,應及時將峰值電壓調到零。
7.3基本操作步驟
1. 按下電源開關,指示燈亮,預熱15分鐘后,即可進行測試。
2. 調節輝度、聚焦及輔助聚焦,使光點清晰。
3. 將峰值電壓旋鈕調至零,峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開關置于測試所需位置。
4. 對X、Y軸放大器進行10度校準。
5. 調節階梯調零。
6. 選擇需要的基極階梯信號,將極性、串聯電阻置于合適擋位,調節級/簇旋鈕,使階梯信號為10級/簇,階梯信號置重復位置。
7. 插上被測晶體管,緩慢地增大峰值電壓,熒光屏上即有曲線顯示。
7.4測試實例
1. 晶體管hFE和β值的測量
以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊得知3DK2 hFE的測試條件為VCE =1V、IC=10mA。將光點移至熒光屏的左下角作座表零點。儀器部件的置位詳見表A-4。
表A-4 3DK2晶體管hFE、β測試時儀器部件的置位
逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到一簇特性曲線,如圖A-26所示.讀出X軸集電極電壓Vce =1V時zui上面一條曲線(每條曲線為20μA,zui下面一條IB=0不計在內)IB值和Y軸IC值,可得
PNP型三極管hFE和β的測量方法同上,只需改變掃描電壓極性、階梯信號極性、并把光點移至熒光屏右上角即可。
2.晶體管反向電流的測試
以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊得知3DK2 ICBO、ICEO的測試條件為VCB、VCE均為10V。測試時,儀器部件的置位詳見表A-5。
逐漸調高“峰值電壓”使X軸VCB=10V,讀出Y軸的偏移量,即為被測值。被測管的接線方法如圖1-28,其中圖A-28(a)測ICBO值,圖A-28(b)測ICEO值、圖A-28(c)測IEBO值。
圖A-29 反向電流測試曲線
PNP型晶體管的測試方法與NPN型晶體管的測試方法相同。可按測試條件,適當改變擋位,并把集電極掃描電壓極性改為“—”,把光點調到熒光屏的右下角(階梯極性為“+”時)或右上角(階梯極性為“—”時)即可。
3.晶體管擊穿電壓的測試
以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的測試條件IC分別為100μA、200μA和100μA。測試時,儀器部件的置位詳見表A-6。
逐步調高“峰值電壓”,被測管按圖A-30(a)的接法,Y軸IC=0.1mA時,X軸的偏移量為BVCEO值;被測管按圖A-30(b)的接法,Y軸IC=0.2m A時,X軸的偏移量為BVCEO值;被測管按圖A-30(c)的接法,Y軸IC=0.1mA時,X軸的偏移量為BVEBO值。
表A-8 2DP5C整流二極管測試時儀器部件的置位
6.二簇特性曲線比較測試
以NPN型3DG6晶體管為例,查手冊得知3DG6晶體管輸出特性的測試條件為IC=10 mA、VCE=10V。測試時,儀器部件的置位詳見表A-9。
將被測的兩只晶體管,分別插入測試臺左、右插座內,然后按表1-8置位各功能鍵,參數調至理想位置。按下測試選擇按鈕的“二簇”琴鍵,逐步增大峰值電壓,即可要熒光屏上顯示二簇特性曲線,如圖A-34所示。
表A-9 二簇特性曲線測試時儀器部件的置位
當測試配對管要求很高時,可調節“二簇位移旋鈕”(37),使右簇曲線左移,視其曲線重合程度,可判定其輸出特性的一致程度。
來自: http://hi.baidu.com/yxt8206/blog/item/086a0602c3e0c6044bfb5191.html
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