亚洲中文久久精品无码WW16,亚洲国产精品久久久久爰色欲,人人妻人人澡人人爽欧美一区九九,亚洲码欧美码一区二区三区

產品推薦:氣相|液相|光譜|質譜|電化學|元素分析|水分測定儀|樣品前處理|試驗機|培養箱


化工儀器網>技術中心>行業標準>正文

歡迎聯系我

有什么可以幫您? 在線咨詢

IGBT器件向小型化和低功耗發展

來源:北京榮盛佳利商貿有限公司   2014年11月09日 18:06  

IGBT器件的發展趨勢是減小體積和降低功耗,以節省能源和促進環保。下一代功率器件將向低功耗、高速開關、高EMC、高可靠性、智能化以及表面安裝等方面發展。這有賴于芯片自身的改善,包括結構的改善、性能的改善以及采用新型的半導體材料。東芝電子亞洲有限公司半導體部工程師郭樹坤稱,Toshiba對其未來功率器件提出的目標就是節省能源。該公司正在研制新一代功率器件IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor),通過注入少數載流子減小體電阻,并增加功率(高電壓/大電流),其特性包括自保持功能和高速開關,將廣泛應用于大功率設備,如牽引機車、工業設備和功率控制系統。

免責聲明

  • 凡本網注明“來源:化工儀器網”的所有作品,均為浙江興旺寶明通網絡有限公司-化工儀器網合法擁有版權或有權使用的作品,未經本網授權不得轉載、摘編或利用其它方式使用上述作品。已經本網授權使用作品的,應在授權范圍內使用,并注明“來源:化工儀器網”。違反上述聲明者,本網將追究其相關法律責任。
  • 本網轉載并注明自其他來源(非化工儀器網)的作品,目的在于傳遞更多信息,并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責,不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。其他媒體、網站或個人從本網轉載時,必須保留本網注明的作品第一來源,并自負版權等法律責任。
  • 如涉及作品內容、版權等問題,請在作品發表之日起一周內與本網聯系,否則視為放棄相關權利。
企業未開通此功能
詳詢客服 : 0571-87858618