光效下降現(xiàn)象（LED droop）
光效下降現(xiàn)象是指，向芯片輸入較大電力時(shí)LED的發(fā)光效率反而會(huì)降低的現(xiàn)象。作為有助于削減單位光通量成本的技術(shù)，各LED廠商都在致力于抑制光效下降現(xiàn)象。如果能抑制該現(xiàn)象，使用相同的芯片，在輸入較大的電力時(shí)會(huì)增加光通量。因此，可減少用于獲得相同光通量的芯片數(shù)，從而削減單位光通量的成本。
 
抑制“光效下降現(xiàn)象”
作為削減單位光通量成本的方法，各LED廠商紛紛致力于抑制“光效下降現(xiàn)象”。
各LED廠商均沒(méi)有公布光效下降現(xiàn)象的發(fā)生原理及其抑制方法的詳情。然而，有廠商透露，芯片的發(fā)熱及電流集中等若干參數(shù)與光效下降現(xiàn)象有關(guān)。例如，輸入較大電力時(shí)，芯片的光發(fā)生量增多，同時(shí)發(fā)熱也增多。這種發(fā)熱會(huì)使芯片內(nèi)部的量子效率惡化，從而導(dǎo)致光效下降現(xiàn)象。因此，有LED廠商認(rèn)為，為抑制光效下降現(xiàn)象，采用散熱性高的封裝構(gòu)造，即使輸入較大電力芯片溫度也不會(huì)上升的改進(jìn)會(huì)對(duì)抑制光效下降現(xiàn)象有效。另外，有觀點(diǎn)認(rèn)為，如果LED芯片內(nèi)的電流密度變大，就容易引發(fā)光效下降現(xiàn)象。
利用帶隙較寬的層夾住帶隙窄且極薄的層形成的構(gòu)造。帶隙較窄的層的電勢(shì)要比周圍（帶隙較寬的層）低，因此形成了勢(shì)阱（量子阱）。在LED和半導(dǎo)體激光器中，量子阱構(gòu)造用于放射光的活性層。重疊多層量子阱的構(gòu)造被稱為多重量子阱。