薄膜太陽(yáng)能電池的種類：
非晶硅（Amorphus Silicon, a-Si）、微晶硅（Nanocrystalline Silicon，nc-Si，Microcrystalline Silicon，mc-Si）、化合物半導(dǎo)體II-IV 族[CdS、CdTe（碲化鎘）、CuInSe2]、色素敏化染料（Dye-Sensitized Solar Cell）、有機(jī)導(dǎo)電高分子（Organic/polymer solar cells） 、CIGS （銅銦硒化物）..等。
　

薄膜太陽(yáng)電池產(chǎn)品應(yīng)用：

半透明式的太陽(yáng)能電池模塊：建筑整合式太陽(yáng)能應(yīng)用（BIPV）
薄膜太陽(yáng)能之應(yīng)用：隨身折迭式充電電源、軍事、旅行
薄膜太陽(yáng)能模塊之應(yīng)用：屋頂、建筑整合式、遠(yuǎn)程電力供應(yīng)、國(guó)防

薄膜太陽(yáng)能電池的特色：
1.相同遮蔽面積下功率損失較小（弱光情況下的發(fā)電性佳）
2.照度相同下?lián)p失的功率較晶圓太陽(yáng)能電池少
3.有較佳的功率溫度系數(shù)
4.較佳的光傳輸
5.較高的累積發(fā)電量
6.只需少量的硅原料
7.沒有內(nèi)部電路短路問題（聯(lián)機(jī)已經(jīng)在串聯(lián)電池制造時(shí)內(nèi)建）
8.厚度較晶圓太陽(yáng)能電池薄
9.材料供應(yīng)無慮
10.可與建材整合性運(yùn)用（BIPV）

　
 

太陽(yáng)能電池厚度比較：晶硅（200～350μm）、非晶性薄膜（0.5μm）
的種類：
非晶硅（Amorphus Silicon, a-Si）、微晶硅（Nanocrystalline Silicon，nc-Si，Microcrystalline Silicon，mc-Si）、化合物半導(dǎo)體II-IV 族[CdS、CdTe（碲化鎘）、CuInSe2]、色素敏化染料（Dye-Sensitized Solar Cell）、有機(jī)導(dǎo)電高分子（Organic/polymer solar cells） 、CIGS （銅銦硒化物）..等

分類表

制造廠商：聯(lián)相光電、富陽(yáng)光電、旭能光電、綠能科技、新能光電、茂迪、奇美能源、大億光電、大豐能源、鑫笙能源、威奈聯(lián)合、嘉晶電子、崇越科技、臺(tái)達(dá)電、中環(huán)、宇通光電
薄膜太陽(yáng)能測(cè)試設(shè)備廠商：慶聲科技

薄膜太陽(yáng)能制程流程表

 

薄膜太陽(yáng)能模塊結(jié)構(gòu)圖
說明：薄膜太陽(yáng)能模塊是由玻璃基板、金屬層、透明導(dǎo)電層、電器功能盒、膠合材料、半導(dǎo)體層..等所構(gòu)成的。

可靠度試驗(yàn)規(guī)范：IEC61646（薄膜太陽(yáng)光電模塊測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)）、CNS15115（薄膜硅陸上太陽(yáng)光電模塊設(shè)計(jì)確認(rèn)和型式認(rèn)可）

專有名詞整理：

英文名稱
中文名稱 說明

A-Si Amorphus Silicon
非晶硅 利用濺鍍或是化學(xué)氣相沉積方式在玻璃或金屬基板上生成薄膜的薄膜太陽(yáng)能生產(chǎn)方式。

BIPV Building-integrated photovoltaic
一體型太陽(yáng)能電池模板 BIPV是結(jié)合太陽(yáng)能發(fā)電與建筑物外墻兩項(xiàng)功能，將太陽(yáng)電池模塊（module）或數(shù)組（array）整合、設(shè)計(jì)并裝置在建筑物上的雙用途產(chǎn)品www.hzyq.net。

CdTe Cadmium luride
碲化鎘 CdTe屬于化合物半導(dǎo)體，電池轉(zhuǎn)換效率不差，若使用耐高溫（約600℃）的硼玻璃作為基板轉(zhuǎn)換效率可達(dá)16%，而使用不耐高溫但是成本較低的鈉玻璃做基板也可達(dá)到12%的轉(zhuǎn)換效率，轉(zhuǎn)換效率遠(yuǎn)優(yōu)于非晶硅材料。

CEI 904
　 具光譜照射光參考數(shù)據(jù)之太陽(yáng)原件量測(cè)原理，等同IEC 904

CIS Copper Indium Diselenide
硒化銦銅 屬于化合物半導(dǎo)體，這樣的材料吸光范圍廣穩(wěn)定性好，若是用聚光裝置輔助，轉(zhuǎn)換效率可達(dá)30%，標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境測(cè)試下zui高也可達(dá)到19.5%，模塊的話，可達(dá)約13%。

CIGS Copper Indium Gallium Diselenide
銅銦鎵硒 屬于化合物半導(dǎo)體，這樣的材料吸光范圍廣穩(wěn)定性好，若是用聚光裝置輔助，轉(zhuǎn)換效率可達(dá)30%，標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境測(cè)試下zui高也可達(dá)到19.5%，模塊的話，可達(dá)約13%。

Dye-Sensitized Solar Cell
色素敏化染料 　

GaAs Multijuction
多接面砷化鎵 　

Nc-Si Nanocrystalline Silicon
微晶硅 是非晶硅的改良材料，其結(jié)構(gòu)介于非晶硅和晶體硅之間，主要是在非晶體結(jié)構(gòu)中具有微小的晶體粒子，因此同時(shí)具有非晶硅容易薄膜化，制程便宜的特性，以及晶體硅吸收光譜廣，且不易出現(xiàn)光劣化效應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)，轉(zhuǎn)換效率也較高。

NOCT Nominal Operating Cell Temperature
標(biāo)準(zhǔn)操作電池溫度 在標(biāo)準(zhǔn)參考環(huán)境（SRE）下，開架式安裝模塊之太陽(yáng)能電池之平衡平均接面溫度。

Mc-Si（Microcrystalline Silicon）
微晶硅 是非晶硅的改良材料，其結(jié)構(gòu)介于非晶硅和晶體硅之間，主要是在非晶體結(jié)構(gòu)中具有微小的晶體粒子，因此同時(shí)具有非晶硅容易薄膜化，制程便宜的特性，以及晶體硅吸收光譜廣，且不易出現(xiàn)光劣化效應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)，轉(zhuǎn)換效率也較高。

PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
電漿體增強(qiáng)化學(xué)氣相沈積 在二個(gè)電極板間外加一個(gè)射頻電壓，于是在二個(gè)電極之間的氣體會(huì)解離而產(chǎn)生電漿，使用電漿的輔助能量，使得沈積反應(yīng)的溫度得以降低。

Polymer solar cells
有機(jī)導(dǎo)電高分子 　

Sputtering
真空濺鍍 　

SRE
標(biāo)準(zhǔn)參考環(huán)境 傾斜角度（與水平成45度）、總照射度（800Wm^-2）、周圍溫度（20℃）、風(fēng)速（1ms^-1）、電力負(fù)載（無開路）。

STC
標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試條件 電池溫度（25℃）、照射度（1000Wm^-2）符合規(guī)范CEI 904-3所要求之參考太陽(yáng)能光譜之照射分布。

Thin-film Photovoltaic