半導(dǎo)體晶圓片切割刃料的制備是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程,以下是一種典型的制備方法:
一、原料準(zhǔn)備
首先,需要準(zhǔn)備高純度的原料,如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料具有高硬度、高耐磨性和高化學(xué)穩(wěn)定性,是制備切割刃料的理想選擇。
二、破碎與篩分
顎式破碎:將原料放入顎式破碎機(jī)中進(jìn)行初步破碎,得到一定粒度的顆粒。
篩分:通過篩分設(shè)備將破碎后的顆粒進(jìn)行分級(jí),篩選出符合要求的粒度范圍。
三、濕法球磨分級(jí)
將篩分后的顆粒放入濕法球磨機(jī)中進(jìn)行進(jìn)一步粉碎和分級(jí)。濕法球磨機(jī)采用濕式研磨方式,通過研磨介質(zhì)(如球磨珠)和研磨液的共同作用,將顆粒粉碎成更細(xì)小的粒子,并通過分級(jí)設(shè)備將粒子按照粒度大小進(jìn)行分離。
四、酸洗
將分級(jí)后的粒子進(jìn)行酸洗處理,以去除表面的雜質(zhì)和污染物。酸洗過程中需要控制酸液的濃度、溫度和反應(yīng)時(shí)間,以確保粒子的質(zhì)量和穩(wěn)定性。
五、溢流分級(jí)與濃縮脫水
溢流分級(jí):通過溢流分級(jí)設(shè)備將酸洗后的粒子進(jìn)行更精細(xì)的分級(jí),得到符合切割刃料要求的粒度分布。
濃縮脫水:將分級(jí)后的粒子進(jìn)行濃縮脫水處理,以去除多余的水分和研磨液,得到干燥的粒子。
六、烘干與混配
烘干:將濃縮脫水后的粒子進(jìn)行烘干處理,以去除殘留的水分和揮發(fā)性物質(zhì)。
混配:根據(jù)切割刃料的配方要求,將不同粒度、不同種類的粒子進(jìn)行混配,得到均勻的切割刃料。
七、精篩與包裝
精篩:對(duì)混配后的切割刃料進(jìn)行精篩處理,以去除不符合要求的粒子和大顆粒雜質(zhì)。
包裝:將精篩后的切割刃料進(jìn)行包裝,以便儲(chǔ)存和運(yùn)輸。
八、質(zhì)量檢測
在制備過程中,需要對(duì)切割刃料進(jìn)行質(zhì)量檢測,包括粒度分布、純度、硬度等指標(biāo)。通過質(zhì)量檢測可以確保切割刃料的質(zhì)量和穩(wěn)定性,滿足半導(dǎo)體晶圓片切割的要求。
綜上所述,半導(dǎo)體晶圓片切割刃料的制備過程包括原料準(zhǔn)備、破碎與篩分、濕法球磨分級(jí)、酸洗、溢流分級(jí)與濃縮脫水、烘干與混配、精篩與包裝以及質(zhì)量檢測等多個(gè)步驟。這些步驟需要嚴(yán)格控制工藝參數(shù)和條件,以確保切割刃料的質(zhì)量和穩(wěn)定性。
九、高通量晶圓測厚系統(tǒng)
高通量晶圓測厚系統(tǒng)以光學(xué)相干層析成像原理,可解決晶圓/晶片厚度TTV(Total Thickness Variation,總厚度偏差)、BOW(彎曲度)、WARP(翹曲度),TIR(Total Indicated Reading 總指示讀數(shù),STIR(Site Total Indicated Reading 局部總指示讀數(shù)),LTV(Local Thickness Variation 局部厚度偏差)等這類技術(shù)指標(biāo);
高通量晶圓測厚系統(tǒng),全新采用的第三代可調(diào)諧掃頻激光技術(shù),傳統(tǒng)上下雙探頭對(duì)射掃描方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片,一次性測量所有平面度及厚度參數(shù)。
1,靈活適用更復(fù)雜的材料,從輕摻到重?fù)?P 型硅 (P++),碳化硅,藍(lán)寶石,玻璃,鈮酸鋰等晶圓材料。
重?fù)叫凸瑁◤?qiáng)吸收晶圓的前后表面探測)
粗糙的晶圓表面,(點(diǎn)掃描的第三代掃頻激光,相比靠光譜探測方案,不易受到光譜中相鄰單位的串?dāng)_噪聲影響,因而對(duì)測量粗糙表面晶圓)
低反射的碳化硅(SiC)和鈮酸鋰(LiNbO3);(通過對(duì)偏振效應(yīng)的補(bǔ)償,加強(qiáng)對(duì)低反射晶圓表面測量的信噪比)
絕緣體上硅(SOI)和MEMS,可同時(shí)測量多 層 結(jié) 構(gòu),厚 度 可 從μm級(jí)到數(shù)百μm 級(jí)不等。
可用于測量各類薄膜厚度,厚度可低至 4 μm ,精度可達(dá)1nm。
可調(diào)諧掃頻激光的“溫漂”處理能力,體現(xiàn)在工作環(huán)境中抗干擾能力強(qiáng),一改過去傳統(tǒng)晶圓測量對(duì)于“主動(dòng)式減震平臺(tái)”的重度依賴,成本顯著降低。
2,靈活的運(yùn)動(dòng)控制方式,可兼容2英寸到12英寸方片和圓片測量。
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