半導體刻蝕技術是現代集成電路制造中的一環，它涉及到使用化學或物理方法去除晶圓表面不需要的材料，以形成復雜的電路結構。以下是半導體刻蝕的一些主要難點：

高深寬比刻蝕：隨著存儲器件從2D NAND向3D NAND的轉變以及3D NAND層數的提升，對刻蝕工藝提出了更高要求。例如，需要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上加工40:1到60:1甚至100:1的極深孔或極深的溝槽。這種高深寬比的刻蝕需要嚴格的精度和控制能力，以避免產生側壁粗糙、底部凹陷等缺陷。

多重曝光與大馬士革工藝：在邏輯電路中，制程的主流工藝如FinFET工藝需要依賴多重曝光實現更小的尺寸，這使得刻蝕技術及相關設備的需求數量和重要性進一步提升。同時，基于金屬硬掩模的雙大馬士革等工藝也提高了刻蝕的難度。

材料多樣性：半導體制造中涉及多種材料的刻蝕，包括介質（如氧化硅、氮化硅）、硅以及各種金屬。不同材料之間的刻蝕速率可能存在顯著差異，這要求刻蝕過程具有高度的選擇性和均勻性。

刻蝕速率與均勻性：刻蝕速率是衡量刻蝕效率的重要指標，但過快的刻蝕速率可能導致刻蝕不均勻，從而影響芯片性能。因此，在保證刻蝕速率的同時，還需要確保刻蝕過程的均勻性。

刻蝕偏差與選擇比：刻蝕偏差是指實際刻蝕圖形與設計圖形之間的差異，選擇比則是指對兩種不同材料刻蝕速率的比值大小。這兩個參數對于確保芯片圖形的準確性至關重要。

殘留物與污染：刻蝕過程中可能會產生殘留物，這些殘留物可能附著在晶圓表面或反應腔內，影響后續工藝步驟的質量。此外，刻蝕過程中還需要注意避免引入新的污染物。

設備與工藝復雜性：半導體刻蝕設備通常包含多個子系統和復雜的工藝流程，需要精確的控制和高度的自動化水平。同時，隨著技術的不斷進步，新型刻蝕技術和設備的出現也帶來了更高的挑戰。